[发明专利]F‑P构型调Q倍频激光器

权利要求书

1.一种F-P构型调Q倍频激光器，其特征在于，它包括：

用于通过泵浦光并产生基频激光的激光工作介质（10）；

F-P标准调Q倍频器件（20），所述F-P标准调Q倍频器件（20）设置在激光工作介质（10）的后方，并且所述F-P标准调Q倍频器件（20）由具有电致伸缩效应和倍频光学效应的晶体制成，所述F-P标准调Q倍频器件（20）的电致伸缩方向与基频激光在所述F-P标准调Q倍频器件（20）所对应的倍频方向重合，当所述F-P标准调Q倍频器件（20）的电致伸缩长度不满足基频激光的法布里-珀罗干涉条件时，所述F-P标准调Q倍频器件（20）和激光工作介质（10）之间组成振荡基频激光的激光谐振腔，当所述F-P标准调Q倍频器件（20）的电致伸缩长度满足基频激光的法布里-珀罗干涉条件时，所述激光工作介质（10）产生的基频激光沿倍频方向通过所述F-P标准调Q倍频器件（10），并当基频激光能力密度超过倍频转换阈值时在所述F-P标准调Q倍频器件内产生倍频激光输出。

2.根据权利要求1所述的F-P构型调Q倍频激光器，其特征在于：所述激光工作介质（10）具有位于前端的第一先光学端面（11）和位于后端并靠近F-P标准调Q倍频器件（20）的第一后光学端面（12），所述第一先光学端面（11）上设置有对泵浦光增透和对基频激光全反射的第一介质膜，所述第一后光学端面（12）上设置有对泵浦光全反射和对基频激光增透的第二介质膜，所述F-P标准调Q倍频器件（20）具有位于后端的第二后光学端面（22）和位于前端并靠近激光工作介质（10）的第二先光学端面（21），所述第二先光学端面（21）上设置有对基频激光高反射和对倍频激光高反射的第三介质膜，所述第二后光学端面（22）上设置有对基频激光高反射和对倍频激光增透的第四介质膜。

3.根据权利要求1所述的F-P构型调Q倍频激光器，其特征在于：所述激光工作介质为激光晶体或激光陶瓷或激光玻璃或激光光纤或激光染料。

4.根据权利要求1所述的F-P构型调Q倍频激光器，其特征在于：所述F-P标准调Q倍频器件（20）由LN材质或KN材质或LT材质或LI材质或石英材质制成。

5.根据权利要求1所述的F-P构型调Q倍频激光器，其特征在于：还包括基座（30），所述F-P标准调Q倍频器件（20）的后端紧贴在基座（30）上，并且基座（30）的中心处设置有用于通过激光光束的通孔。