[发明专利]双亲型二氧化硅消光剂的制备方法在审
| 申请号： | 201710106328.5 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106905751A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吴迪 | 申请（专利权）人： | 成都聚鸿轩化学原料有限公司 |
| 主分类号： | C09D7/12 | 分类号： | C09D7/12;C09D167/08;C09D175/04;C09C1/28;C09C3/12 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双亲 二氧化硅 消光剂 制备 方法 | ||
1.一种双亲型二氧化硅消光剂的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将粉末状二氧化硅放入混合器内，在搅拌状态下将物料加热升温至60-200℃，保持搅拌；
2)将粉末状二氧化硅质量的2-30％的硅烷处理剂以雾化的方式均匀喷入混合器内，与物料充分混合后，将温度升温至70-250℃，并保持此温度搅拌0.5-3h，放料干燥，自然冷却即得双亲型二氧化硅消光剂。
2.根据权利要求1所述双亲型二氧化硅消光剂的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中硅烷处理剂包括十二烷基三乙基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、正已基三乙氧基硅烷、双－(Y-(三乙氧基硅)丙基)四硫化物、异丁基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、氯丙基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、三乙氧基丙基硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷、异辛基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷中的任意一种或几种。
3.根据权利要求1所述双亲型二氧化硅消光剂的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中硅烷处理剂的加入量为粉末状二氧化硅质量的30％。
4.根据权利要求3所述双亲型二氧化硅消光剂的制备方法，其特征在于：所述粉末状二氧化硅为通过沉淀法或凝胶法制的粒径为1-10微米的二氧化硅。
5.根据权利要求1所述双亲型二氧化硅消光剂的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的干燥温度为50-250℃，干燥时间为0.5-6h。
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