[发明专利]图案修整方法

权利要求书

1.一种修整光致抗蚀剂图案的方法，其包含：

(a)提供半导体衬底；

(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；

(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述第二聚合物可溶于0.26当量浓度氢氧化四甲基铵水溶液，所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为70-98重量％的一种或多种单醚溶剂以及以所述溶剂系统计组合量为2到30重量％的一种或多种醇和/或酯溶剂；

(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及

(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案,

所述第一聚合物包含下式(III)的重复单元：

其中：R₂为氢或甲基；R₃为选自羟基、C1-C8烷氧基、C5-C12芳氧基、C2-C10烷氧基羰氧基、C1-C4烷基、C5-C15芳基和C6-C20芳烷基的一个或多个基团，其中一个或多个碳氢任选地经卤素原子取代；b为1到5的整数；其中至少一个R₃独立地选自羟基、C1-C8烷氧基、C5-C12芳氧基和C2-C10烷氧基羰氧基。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述光致抗蚀剂图案包含使由所述光致抗蚀剂组合物形成的层曝露于EUV辐射。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中形成所述光致抗蚀剂图案包含使由所述光致抗蚀剂组合物形成的层曝露于具有248nm波长的辐射。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶剂系统包含C4-C8一元醇和/或总碳数为4到10的烷基酯。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述一种或多种单醚溶剂包含总碳数为6到16的烷基单醚和/或芳香族单醚。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述溶剂系统包含：二异戊醚或苯甲醚；和4-甲基-2-戊醇。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二聚合物可溶于所述冲洗剂中。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二聚合物包含包含-C(CF3)₂OH基团的重复单元和/或由(甲基)丙烯酸单体形成的重复单元。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其进一步包含非聚合酸或酸产生剂。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述组合物不含非聚合酸和酸产生剂。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述冲洗剂为氢氧化四甲基铵水溶液。