[发明专利]发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其包括一基座以及至少一发光二极管芯片，其特征在于：所述基座沿第一方向的长度大于沿垂直第一方向的第二方向的长度，所述基座上形成一收容腔，所述收容腔贯通基座的顶部以及基座沿第一方向上的两端，收容腔在基座的顶部具有一正向开口，在基座的沿第一方向上的两端分别具有侧向开口，所述基座包括一绝缘座，所述绝缘座包括长方形的底座、由所述底座第一方向的侧边垂直向上延伸的两个第一侧壁以及由所述底座第二方向的侧边垂直向上延伸的两个第二侧壁，所述两个第一侧壁平行相对，所述两个第二侧壁平行相对，所述两个第一侧壁、两个第二侧壁与底座共同围成所述收容腔，所述第一侧壁的高度大于所述第二侧壁的高度，所述发光二极管芯片设置于所述收容腔中，发光二极管芯片发出的光线通过基座的正向开口以及侧向开口射出。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基座包括一设置于所述绝缘座上的第一电极构造和第二电极构造。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘座呈一长方体结构，所述长方体结构的长边沿第一方向延伸，短边沿第二方向延伸。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片的高度小于所述第二侧壁的高度。

5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极构造包括第一内部电极、第一延伸电极以及第一外部电极，所述第二电极构造包括第二内部电极、第二延伸电极以及第二外部电极，所述第一内部电极与第二内部电极相互间隔设置于所述收容腔中的绝缘座的侧壁上，所述第一延伸电极以及第二延伸电极分别设置在绝缘座的底座的侧面上，并分别通过所述底座与第一内部电极以及第二内部电极电连接，所述第一外部电极以及第二外部电极分别由第一延伸电极以及第二延伸电极延伸至绝缘座的侧壁上。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于所述基座的收容腔内并分别电性连接第一内部电极与第二内部电极。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构还包括一封装层，所述封装层填充于所述基座的整个收容腔内，并覆盖所述发光二极管芯片。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装层内包含荧光粉。

9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装层的顶面由所述收容腔的正向开口露出，并与所述两个第一侧壁的顶面齐平；所述封装层的侧面与所述两个第二侧壁的侧面相齐平；部分所述封装层的侧面分别由所述收容腔的侧向开口露出，并分别与所述两个第二侧壁的外侧端面齐平。