[发明专利]一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺有效
| 申请号： | 201710107469.9 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106653954B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 孙铁囤;汤平;姚伟忠 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王美华;任晓岚 |
| 地址： | 213002 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅太阳能电池 二氧化硅钝化层 制备工艺 预处理 无污染操作 阿拉伯胶 钝化反应 硅片表面 促进液 硅片 钝化 可控 清洁 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺，其特征在于：所述的制备工艺为，
（1）将钝化反应促进液均匀涂刷在扩散后的硅片表面，并低温烘干，
所述的钝化反应促进液为阿拉伯胶以45～70g/L的质量浓度溶于去离子水所形成的溶液；
（2）将经过步骤（1）处理的硅片置于高温环境下，并同时通入氮气和氧气的混合气体，
所述的高温环境的温度为700～800℃；
（3）完成步骤（2）的氧化后，停止通氧，在氮气气氛下将环境温度降至退火温度进行退火处理，冷却。
2.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺，其特征在于：步骤（1）中，烘干温度为60～80℃。
3.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺，其特征在于：步骤（2）中所述的混合气体中，氮气和氧气的体积比为1～15：1。
4.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺，其特征在于：步骤（2）中，通入氮气和氧气的时间为10～30分钟。
5.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺，其特征在于：步骤（3）中所述的退火温度为300～400℃。
6.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺，其特征在于：步骤（3）中，退火时间持续25～50分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
