[发明专利]OLED显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201710108162.0 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN106601783A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 童培谦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,黄进 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法,还涉及包含该OLED显示面板的显示装置。
背景技术
OLED(有机电致发光二极管)显示装置具有自发光、广视角、发光效率高、功耗低、响应时间快、低温特性好、制造工艺简单、成本低等特性。柔性OLED显示装置以其重量轻、可弯曲、便于携带的优点,给可穿戴式设备的应用带来深远的影响,未来柔性OLED显示装置将随着个人智能终端的不断渗透而得到更加广泛的应用。对于可穿戴式设备或者是智能移动终端,由于该类设备的功能日益增多,相应的电池电量的消耗也随之增大,用户将设备的待机时间作为选择产品的一项重要标准,因此,如何提高设备的待机时间是业内一直在寻求解决的难题。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种OLED显示面板及其制备方法,该OLED显示面板可以有效地利用环境光发电,辅助提供OLED显示装置待机所需电量,提高了产品的待机时间,提升竞争力。
为了达到上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种OLED显示面板,包括TFT阵列基板,其中,所述TFT阵列基板包括呈阵列排布的多个像素区域和位于所述像素区域之外的非像素区域;所述TFT阵列基板上,对应于每一所述像素区域分别形成有像素结构,对应于所述非像素区域形成有有机薄膜光伏电池。
其中,所述有机薄膜光伏电池包括按照远离所述TFT阵列基板的方向依次叠层设置的第一阳极、有机薄膜活性层和第一阴极。
其中,所述第一阳极和所述有机薄膜活性层之间还设置有阳极缓冲层,所述第一阴极和所述有机薄膜活性层之间还设置有阴极修饰层。
其中,所述像素结构包括按照远离所述TFT阵列基板的方向依次叠层设置的第二阳极、空穴传输功能层、发光层、电子传输功能层和第二阴极。
其中,所述空穴传输功能层包括按照远离所述第二阳极的方向依次设置的空穴注入层和空穴传输层,所述电子传输功能层包括按照远离所述第二阴极的方向依次设置的电子注入层和电子传输层。
其中,每一所述像素结构分别对应于红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素,所述红色子像素中的发光层为可发出红色光的发光层,所述绿色子像素中的发光层为可发出绿色光的发光层,所述蓝色子像素中的发光层为可发出蓝色光的发光层。
其中,所述TFT阵列基板为柔性的TFT阵列基板。
本发明还提供了如上所述OLED显示面板的制备方法,其包括:提供一TFT阵列基板并定义出像素区域和非像素区域;采用第一掩膜版,应用薄膜沉积工艺在所述像素区域制备形成像素结构;采用第二掩膜版,应用薄膜沉积工艺在所述非像素区域制备形成有机薄膜光伏电池。
其中,所述第二掩膜版的透过区和阻挡区与所述第一掩膜版的透过区和阻挡区是互补结构。
本发明的另一方面是提供一种显示装置,其包括驱动单元和如上所述的OLED显示面板,所述驱动单元向所述OLED显示面板提供驱动信号以使所述OLED显示面板显示画面。
相比于现有技术,本发明实施例提供的OLED显示面板及其制备方法,该OLED显示面板中,在像素结构之外的非像素区域中形成有有机薄膜光伏电池,可以有效地利用环境光发电,辅助提供OLED显示装置待机所需电量,提高了产品的待机时间,提升产品的竞争力。
附图说明
图1是本发明实施例提供的OLED显示面板的俯视结构示意图;
图2是本发明实施例提供的OLED显示面板的剖面结构示意图;
图3是本发明实施例中的TFT阵列基板的结构示意图;
图4是本发明实施例中的位于TFT阵列基板上的像素结构的结构示意图;
图5是本发明实施例中的位于TFT阵列基板上的光伏电池的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法的工艺流程图;
图7a和图7b是本发明实施例提供的制备方法的工艺过程的示例性图示;
图8是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本发明的实施方式仅仅是示例性的,并且本发明并不限于这些实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的