[发明专利]一种N+

权利要求书

1.一种N⁺PN^-PN⁺型正反向过压保护硅二极管的制备方法，其特征在于它的步骤如下：

1）在N^-型硅单晶片的正、反两表面同步扩散入P型半导体杂质铝和N⁺型半导体杂质磷，形成P型扩散区在前、N⁺型扩散区在后的四个杂质扩散区，得到N⁺PN^-PN⁺型四重PN结硅芯扩散片；铝、磷扩散时间为20～25小时，扩散温度为1255℃～1260℃，铝杂质表面浓度为10¹⁹~2×10¹⁹个原子/cm³，磷杂质表面浓度为5×10²⁰~10²¹个原子/cm³，N型硅单晶片的厚度为200～220um，电阻率为0.05～0.1Ω·cm；所述P型半导体杂质铝和N⁺型半导体杂质磷均属于液态化合物源；

2）在N⁺PN^-PN⁺型硅扩散片的正、反两表面镀上镍层；

3）将N⁺PN^-PN⁺型硅扩散片锯切成低压硅二极管芯片；

4）将低压硅二极管芯片与封装底座焊接，台面钝化、压模成型，封装成低压硅二极管。

2.根据权利要求1所述的N⁺PN^-PN⁺型正反向过压保护硅二极管的制备方法，其特征在于所述的步骤1）中的四个杂质扩散区自上到下分别为N⁺型、P型、P型、N⁺型，均为P型半导体杂质铝和N⁺型半导体杂质磷同步扩散形成。

3.根据权利要求1所述的N⁺PN^-PN⁺型正反向过压保护硅二极管的制备方法，其特征在于所述的步骤1）中的N⁺PN^-PN⁺型四重PN结，由下到上分别为N⁺P结、PN^-结、N^-P结和PN⁺结。

4.根据权利要求1所述的N⁺PN^-PN⁺型正反向过压保护硅二极管的制备方法，其特征在于所述的步骤1）中的硅芯侧面为四重开放PN结台面，该台面由酸性或碱性化学腐蚀获得。

5.根据权利要求1所述的N⁺PN^-PN⁺型正反向过压保护硅二极管的制备方法，其特征在于硅二极管的内部为以N^-本征层为中心镜像对称的N⁺PN^-P型二端器件结构，对电子电路起着正向过压和反向过压安全保护作用。

6.根据权利要求2所述的N⁺PN^-PN⁺型正反向过压保护硅二极管的制备方法，其特征在于，P⁺型杂质铝为硝酸铝。

7.根据权利要求2所述的N⁺PN^-PN⁺型正反向过压保护硅二极管的制备方法，其特征在于，N⁺型杂质磷为三氯氧磷或五氧化二磷。