[发明专利]一种去本征区P+N+型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种去本征区P⁺N⁺型低压硅二极管的制备方法，其特征在于它的步骤如下：

1）在N型硅单晶片的正、反两表面同步分别扩散入P⁺型半导体杂质硼和N⁺型半导体杂质磷，并使P⁺型杂质扩散区和N⁺型杂质扩散区穿越N型硅本征区后对接会合，得到去硅本征区P⁺N⁺型硅扩散片，扩散时间为30～35小时，扩散温度为1270℃～1280℃，P⁺和N⁺型杂质表面浓度为10²⁰～10²¹个原子/cm³，N型硅单晶片的厚度为180～200um，电阻率为0.01～0.02Ω·cm；

2）在P⁺N⁺型硅扩散片的正、反两表面镀上镍层；

3）将P⁺N⁺型硅扩散片锯切成低压硅二极管芯片；

4）将低压硅二极管芯片与封装底座焊接，再经过台面钝化和压模成型，封装成低压硅二极管。

2.根据权利要求1所述的去本征区P⁺N⁺型低压硅二极管的制备方法，其特征在于所述的步骤1）中的同步扩散P⁺型半导体杂质硼和N⁺型半导体杂质磷均采用固态纸源。

3.根据权利要求1所述的去本征区P⁺N⁺型低压硅二极管的制备方法，其特征在于所述的步骤1）中的P⁺型杂质扩散区和N⁺型杂质扩散区穿越N型硅本征区后会合，通过会合点的杂质浓度N(x)分布对应决定P⁺N⁺结的空间电荷层和硅二极管的反向电压V_B。