[发明专利]显示面板、电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201710109101.6 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN106654037A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 徐威;梁蓬霞;谷新;郭康 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 王辉,阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种电致发光器件,其特征在于,包括依次叠设的第一透明电极层、电致发光层、沟道层、第二透明电极层、介电层、光吸收层以及第三透明电极层;其中,所述光吸收层能够被所述电致发光层出射的光激发产生光生载流子。
2.根据权利要求1所述电致发光器件,其特征在于,所述光吸收层为由量子点构成的量子点层。
3.根据权利要求2所述电致发光器件,其特征在于,其中:
所述电致发光层包括蓝色电致发光层,所述量子点层对应包括绿光量子点或黄光量子点;及/或,
所述电致发光层包括绿色电致发光层,所述量子点层对应包括黄光量子点或绿光量子点;及/或,
所述电致发光层包括红色电致发光层,所述量子点层对应包括近红外光量子点。
4.根据权利要求2所述电致发光器件,其特征在于,还包括:
空穴阻挡层,设置于所述量子点层与所述第三透明电极层之间。
5.根据权利要求2所述电致发光器件,其特征在于,所述第一透明电极层电连接第一电源的阳极,所述第三透明电极层电连接第二电源的阳极,所述第二透明电极层电连接所述第一电源的阴极和所述第二电源的阴极。
6.根据权利要求2~5任一项所述电致发光器件,其特征在于,所述量子点层中的量子点的粒径为5~20nm,所述量子点层的厚度为5~500nm。
7.根据权利要求6所述电致发光器件,其特征在于,所述量子点层包括II-VI族元素核壳结构、III-V族元素核壳结构、过渡族金属掺杂纳米晶、稀土金属掺杂纳米晶或者铅基钙钛矿纳米晶中的一种或多种。
8.一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
形成依次叠设的第一透明电极层、电致发光层、沟道层、第二透明电极层、介电层、光吸收层以及第三透明电极层;
其中,所述光吸收层能够被所述电致发光层出射的光激发产生光生载流子。
9.根据权利要求8所述制备方法,其特征在于,所述光吸收层为由量子点形成的量子点层。
10.根据权利要求9所述制备方法,其特征在于,其中:
所述电致发光层包括蓝色电致发光层,所述量子点层对应包括绿光量子点或黄光量子点;及/或,
所述电致发光层包括绿色电致发光层,所述量子点层对应包括黄光量子点或绿光量子点;及/或,
所述电致发光层包括红色电致发光层,所述量子点层对应包括近红外光量子点。
11.根据权利要求9所述制备方法,其特征在于,所述量子点层中的量子点的粒径为5~20nm,所述量子点层的厚度为5~500nm。
12.根据权利要求11所述制备方法,其特征在于,所述量子点层包括II-VI族元素核壳结构、III-V族元素核壳结构、过渡族金属掺杂纳米晶、稀土金属掺杂纳米晶或者铅基钙钛矿纳米晶中的一种或多种。
13.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~7任一项所述的电致发光器件。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括依次叠设的透明基板、发光层以及封装层;
其中,所述发光层包括阵列设置的具有第一颜色电致发光层的所述电致发光器件、具有第二颜色电致发光层的所述电致发光器件以及具有第三颜色电致发光层的所述电致发光器件。
15.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括依次叠设的透明基板、发光层、彩膜层以及封装层;
其中,所述发光层包括具有白色电致发光层的所述电致发光器件;所述彩膜层包括阵列设置的第一颜色滤光区、第二颜色滤光区以及第三颜色滤光区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择