[发明专利]一种NAND FLASH的数据源区块回收方法及固态硬盘

说明书

本发明涉及一种NAND FLASH的数据源区块回收方法及固态硬盘。该方法包括步骤：在支持多通道以及多颗NAND FLASH的控制器中，将并行执行的NAND FLASH组成一个储存区块集合；获取每个储存区块集合的有效数据个数；比较每个储存区块集合的有效数据个数的大小；选取有效数据个数少的储存区块集合作为数据源区块，若储存区块集合的有效数据个数相等，则取离散度小的储存区块集合作为数据源区块，用选取的数据源区块填充数据目标区块。通过实施本发明，能提高数据比对效率，使SSD反应速度更快，还能选取回收效率最佳的数据源区块，进而充分发挥SSD速度。

技术领域

本发明涉及固态硬盘数据管理领域，更具体地说，涉及一种NAND FLASH的数据源区块回收方法及固态硬盘。

背景技术

SSD NAND FLASH因不可覆写的条件限制，因此在所有数据写满的情况下必须做数据比对和搬移，来清出新的空间让用户去写入数据，而目前现有的技术即是垃圾回收(GC)。当垃圾回收(GC)在做数据比对，寻找有效数据的时程，所使用的是物理对逻辑映像表(P2L)与逻辑对物理映像表(L2P)去做比对，若比对数据相等，则属于有效数据，亦即需要搬移的数据，若否，则为无效数据，不需搬移。

现有作法为找一个有效数据最少的数据区块，读取该数据区块的物理对逻辑映像表(P2L)，去跟逻辑对物理映像表(L2P)做比对，逐一寻找该数据区块的有效数据位置，将该有效数据搬移到新的目标区块中。如此一来如果一个储存区块(Block)总数据共有P*N笔(储存页面(Page)总数乘上N映像单位)，而其中的有效数据却只有M笔，我们则需要比对P*N次来寻找这M笔有效数据。

现有技术的缺点：数据比对效率较低、导致SSD反应速度慢、所选的区块并非回收效率最佳的数据源区块(SB)，导致SSD速度无法充分发挥。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述数据比对效率较低、导致SSD反应速度慢的缺陷，提供一种NAND FLASH的数据源区块回收方法及固态硬盘。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种NAND FLASH的数据源区块回收方法，包括以下步骤：

将存储器的存储空间划分为多个储存区块集合；

获取每个所述储存区块集合的有效数据个数；

比较每个所述储存区块集合的有效数据个数的大小；

选取所述有效数据个数少的所述储存区块集合作为数据源区块。

优选地，本发明所述的NAND FLASH的数据源区块回收方法，所述将存储器的存储空间划分为多个储存区块集合，包括：

在支持多通道以及多颗NAND FLASH的控制器中，将并行执行的NAND FLASH组成一个所述储存区块集合。

优选地，本发明所述的NAND FLASH的数据源区块回收方法，所述储存区块集合包括至少两个储存区块，所述每个储存区块包含至少一个储存页面。

优选地，本发明所述的NAND FLASH的数据源区块回收方法，所述获取每个所述储存区块集合的有效数据个数，包括：

将物理对逻辑映像表与逻辑对物理映像表进行比对，若比对数据相等，则为所述有效数据；

比对得到所述储存区块集合内所有丛集的有效数据个数，所有所述丛集的有效数据个数之和为所述储存区块集合的有效数据个数，其中，

所述储存区块集合内所有所述储存区块的对应位置的至少一个储存页面构成一个所述丛集。

进一步，本发明所述的NAND FLASH的数据源区块回收方法，在选取所述数据源区块后，还包括：

用选取的所述数据源区块填充数据目标区块。