[发明专利]一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法

权利要求书

1.一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；

二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，150-180℃恒温水热生长12-36 h，即可；

所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水的用量比例为0.245 g：0.347 g：0.215g：35 mL；

所述的步骤一具体为：1mg的二硫化钼固体粉末溶于1mL的N-甲基吡咯烷酮中，超声30min使二硫化钼块状固体在溶剂中剥离，且充分均匀分布在溶剂当中，这样便得到了浓度为1mg/mL的二硫化钼籽晶层溶液，将清洗干净的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼籽晶层溶液中浸渍1min，然后取出，放在80°C的加热板上烘干，直到溶剂（N-甲基吡咯烷酮）被蒸发完全，此时，氧化铝陶瓷管上便形成了一层二硫化钼籽晶层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，二硫化钼生长溶液中柠檬酸的质量浓度为6％。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，水热生长时间为24 h。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化铝陶瓷管在使用之前用丙酮、乙醇或去离子水超声20 min。

5.一种采用权利要求1-4中任意一项所述制备方法获得的氧化铝陶瓷管。

6.一种采用权利要求5所述氧化铝陶瓷管制备的气敏传感器。

7.一种二氧化锡/二硫化钼纳米花球异质结的气敏传感器，该异质结是利用脉冲激光沉积技术，在权利要求5所述氧化铝陶瓷管表面上沉积n型半导体材料二氧化锡而形成。