[发明专利]包括堆叠电极的半导体装置

说明书

本专利申请要求于2016年2月26日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0023243号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置的更高集成度可用于满足消费者对于优越性能和便宜价格的需求。在半导体存储装置的情况下，因为它们的集成度在确定产品价格方面会是重要的因素，所以提高的集成度会是特别有益的。在典型的二维或平面半导体存储装置的情况下，因为它们的集成度主要由单位存储单元所占据的面积来确定，所以集成度会大大地受精细图案形成技术的水平影响。然而，用于增大图案精细度的极其昂贵的工艺设备会对提高二维或平面半导体存储装置的集成度设置实际的限制。

为了克服这样的限制，已经提出了三维存储装置(即，包括三维布置的存储单元)。在三维存储装置的情况下，不仅对于三维地布置存储单元而且对于三维地布置向存储单元提供存取的信号线或互连线(例如，字线或位线)会是有益的。

发明内容

根据本发明构思的一些实施例的半导体装置可包括具有单元阵列区和连接区的基底。半导体装置还可包括在基底上沿第一方向延伸并且在与第一方向相交的第二方向上彼此分隔开的第一电极结构和第二电极结构。第一电极结构和第二电极结构中的每个可包括竖直地且交替地堆叠在基底上并且包括在连接区上的阶梯台阶结构的第一电极和第二电极。半导体装置还可包括在第一电极结构和第二电极结构上的多个串选择电极。串选择电极中的每个可包括通过绝缘分离层在第二方向上彼此分隔开的第一串选择电极和第二串选择电极。半导体装置还可包括连接第一电极结构和第二电极结构的第一电极中的共面的第一电极的第一连接线。半导体装置还可包括连接第一电极结构和第二电极结构的第二电极中的共面的第二电极的第二连接线。第一连接线中的每条可包括在第二方向上延伸的线形结构。此外，当在平面图中观察时，第二连接线中的每条可包括与线形结构不同的形状。

根据一些实施例的半导体装置可包括具有单元阵列区和连接区的基底。半导体装置还可包括在基底上沿第一方向延伸并且在与第一方向相交的第二方向上彼此分隔开的第一电极结构和第二电极结构。第一电极结构和第二电极结构中的每个可包括竖直地且交替地堆叠在基底上并且包括在连接区上的阶梯台阶结构的第一电极和第二电极。第一电极中的每个可包括在其端部处的第一焊盘区，第二电极中的每个可包括在其端部处的第二焊盘区。此外，当在平面图中观察时，第一焊盘区可布置在第一方向上并且第二焊盘区中的每个可在第二方向上与第一焊盘区中的相应的一个相邻。半导体装置还可包括分别结合到第一焊盘区的第一接触件。半导体装置还可包括分别结合到第二焊盘区的第二接触件。半导体装置还可包括各自连接第一接触件中的在第二方向上彼此相邻的第一接触件的第一连接线。半导体装置还可包括各自连接第二接触件中的在第二方向上彼此相邻的第二接触件的第二连接线。半导体装置还可包括各自连接到第一连接线的在第一组中的第一连接线和第二连接线的在第一组中的第二连接线的第一金属线。半导体装置还可包括在比第一金属线高的水平面处的第二金属线。第二金属线中的每条可连接到第一连接线中的在第二组中的第一连接线和第二连接线中的在第二组中的第二连接线。

根据一些实施例的半导体装置可包括电极的第一堆叠件和第二堆叠件。半导体装置还可包括使电极的第一堆叠件的内部部分连接到电极的第二堆叠件的内部部分的多条第一连接线。所述多条第一连接线可具有第一长度。此外，半导体装置还可包括具有比第一长度长的第二长度的多条第二连接线。所述多条第二连接线使电极的第一堆叠件的外部部分连接到电极的第二堆叠件的外部部分。

附图说明

通过下面结合附图进行的简要描述，将更加清楚地理解示例实施例。附图代表如在这里描述的非限制性的示例实施例。

图1是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的芯片布局的示意图。

图2是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的单元阵列的示意框图。

图3是根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的示意电路图。

图4和图5是根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的平面图。

图6是示出在图5中示出的堆叠件的阶梯台阶(stair-step)结构的平面图。

图7是示出在图5中示出的堆叠件的阶梯台阶结构的透视图。

图8和图9是分别沿图4的线I-I'和线II-II'截取以示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的剖视图。