[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710111075.0 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107068766B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
衬底上的氧化物半导体膜；
电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
栅电极；以及
所述栅电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜，
其中，所述栅极绝缘膜包含硅和氧，
其中，所述氧化物半导体膜中的硅的浓度为1.0 at.%以下，
其中，所述氧化物半导体膜包含硅的浓度从所述栅极绝缘膜侧至所述栅电极侧减小的区域，并且
其中，所述氧化物半导体膜包含结晶部。
2.一种半导体装置，包括：
衬底上的氧化物半导体膜；
电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
栅电极；以及
位于所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜，
其中，所述栅极绝缘膜包含硅和氧，
其中，所述氧化物半导体膜中的硅的浓度为1.0 at.%以下，
其中，所述氧化物半导体膜包含硅的浓度从所述栅极绝缘膜侧至所述栅电极侧减小的区域，并且
其中，所述氧化物半导体膜包含结晶部。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中，所述栅极绝缘膜包括含有硅的氧化物。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中所述氧化物半导体膜的端部具有20°至50°的锥角。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括所述栅极绝缘膜和所述栅电极上的层间绝缘膜。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述结晶部的c轴在垂直于所述氧化物半导体膜的表面的方向上一致。
7. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成氧化物半导体膜；以及
在所述氧化物半导体膜上形成源电极和漏电极，
其中，所述氧化物半导体膜中的硅的浓度为1.0 at.%以下，
其中，所述氧化物半导体膜包含硅的浓度从栅极绝缘膜侧至栅电极侧减小的区域，并且
其中，所述氧化物半导体膜包含结晶部。
8. 根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：
在所述氧化物半导体膜上形成栅极绝缘膜；以及
在所述栅极绝缘膜上形成栅电极，
其中，所述栅极绝缘膜包括含有硅的氧化物。
9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，
其中，所述氧化物半导体膜的端部具有20°至50°的锥角。
10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：
在所述栅极绝缘膜和所述栅电极上形成层间绝缘膜。
11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述结晶部的c轴在垂直于所述氧化物半导体膜的表面的方向上一致。
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