[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201710111183.8 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN106876330A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 金慧俊;张敏 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人: | 王刚,龚敏 |
地址: | 201108 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的第一金属层,所述第一金属层包括栅极和栅线;
位于所述第一金属层上的有源层;
位于所述栅极和栅线所在膜层上的像素电极;
位于所述有源层和所述像素电极上的第二金属层,所述第二金属层包括漏极、源极和数据线,其中,所述漏极与所述像素电极电性连接;
位于所述第二金属层上的公共电极层,所述公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块,所述公共电极块复用为触控电极;所述阵列基板还包括:
触控走线,位于所述第二金属层;所述触控走线与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘,且通过过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一绝缘层,位于所述第一金属层和所述有源层之间。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第二绝缘层,位于所述公共电极层和所述第二金属层之间;所述第二绝缘层上设有过孔。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述漏极与所述像素电极直接电性连接。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控走线与所述数据线相邻设置,且所述触控走线与所述数据线平行。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~5任一项所述的阵列基板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示面板。
8.一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成第一金属层,所述第一金属层包括栅极和栅线;
在所述第一金属层上形成有源层;
在所述栅极和栅线所在膜层上形成像素电极;
在所述有源层和所述像素电极上形成第二金属层和触控走线,其中,所述第二金属层包括漏极、源极和数据线,所述漏极与所述像素电极电性连接;
形成覆盖所述第二金属层的第二绝缘层,在所述第二绝缘层上形成过孔;
在所述第二金属层上形成公共电极层,其中,所述公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块,所述公共电极块复用为触控电极,所述公共电极块通过所述过孔与所述触控走线电性连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第一金属层和所述有源层之间形成第一绝缘层。
10.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述公共电极层和所述第二金属层之间形成第二绝缘层,并在所述第二绝缘层上形成过孔。
11.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述漏极与所述像素电极直接电性连接。
12.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述触控走线与所述数据线相邻设置,且所述触控走线与所述数据线平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造