[发明专利]操作非易失性存储器设备的方法有效

专利信息
申请号: 201710111215.4 申请日: 2017-02-28
公开(公告)号: CN107154274B 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 尹铉竣 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 操作 非易失性存储器 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种操作非易失性存储器设备的方法,所述方法包括:

使用第一感测电压对所述非易失性存储器设备的存储单元执行第一感测操作;

根据由于所述第一感测操作而在页缓冲器的第一锁存器单元中存储的第一数据,对连接到所述存储单元的多个位线当中的一些位线预充电;

在所述预充电之后复位所述第一锁存器单元;以及

使用第二感测电压对所述存储单元执行第二感测操作,

其中所述第一感测操作是使用具有预读取电平的第一感测电压的粗感测操作,并且所述第二感测操作是使用具有读取电平的第二感测电压的细感测操作,

其中所述预读取电平低于所述读取电平。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括将根据所述第二感测操作感测的第二数据存储到所述第一锁存器单元中。

3.根据权利要求2所述的方法,还包括将所存储的第二数据传送到外部控制器作为读取数据。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述非易失性存储器设备还包括第二锁存器单元,所述第二锁存器单元被配置为传送数据到所述外部控制器和从所述外部控制器接收数据,

其中将所存储的第二数据传送到外部控制器作为读取数据包括:

将存储在所述第一锁存器单元中的第二数据转储到所述第二锁存器单元;以及

传送所述转储到第二锁存器单元的第二数据到所述外部控制器。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在所述第一感测操作之前复位所述第一锁存器单元为第一逻辑状态;以及

在所述第一感测操作之前根据第一锁存器单元的第一逻辑状态对所有的所述多个位线一起预充电。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述非易失性存储器设备的存储单元包括多电平存储单元,并且响应于从外部控制器接收的读取命令,所述非易失性存储器设备执行多个读取操作,

其中所述多个读取操作中的每个包括至少所述第一感测操作和第二感测操作。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述页缓冲器还包括第二锁存器单元,其中当所述第一感测操作和第二感测操作被执行时,与所述第一感测操作和第二感测操作无关的数据被存储在所述第二锁存器单元中。

8.根据权利要求7所述的方法,还包括,在执行所述第一感测操作之前,执行第一读取操作,

其中当所述第一感测操作和第二感测操作被执行时,与所述第一读取操作相关的数据被存储在所述第二锁存器单元中。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述非易失性存储器设备包括开关单元,所述开关单元被配置为控制在至少一个感测节点和所述第一锁存器单元之间的电连接,

其中在所述第一锁存器单元的复位期间,所述开关单元被关断。

10.根据权利要求1所述的方法,还包括:

根据由于所述第二感测操作而存储在所述第一锁存器单元中的第二数据,对所述多个位线当中的一些位线预充电;

根据所述第二数据,在所述预充电之后复位所述第一锁存器单元;以及

使用第三感测电压执行第三感测操作。

11.一种操作非易失性存储器设备的方法,所述非易失性存储器设备包括页缓冲器,所述页缓冲器包括连接到感测节点的第一锁存器单元和电连接到所述第一锁存器单元的第二锁存器单元,所述方法包括:

响应于读取命令,将对多个存储单元执行的第一感测操作的结果存储在所述第一锁存器单元中;

根据所述第一锁存器单元的逻辑状态,选择性地对连接到所述多个存储单元的多个位线当中的一些位线预充电;

在选择性地预充电之后,设置所述第一锁存器单元为第一逻辑状态而无需将存储在所述第一锁存器单元中的第一感测操作的结果转储到所述第二锁存器单元;以及

将对所述多个存储单元当中的至少一些存储单元执行的第二感测操作的结果存储在所述第一锁存器单元中。

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