[发明专利]电力用半导体模块有效
申请号: | 201710111257.8 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN107204317B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 稻叶祐树 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 半导体 模块 | ||
1.一种电力用半导体模块,其特征在于,包括:
半导体元件,该半导体元件具有一个面以及位于所述一个面的相反侧的另一面;
引线端子,该引线端子被电连接和热连接至所述半导体元件;
第1焊料,该第1焊料将所述引线端子与所述半导体元件的一个面进行接合;
绝缘基板,该绝缘基板具有绝缘板、电路层以及金属箔,该绝缘板具有一个面以及位于所述一个面的相反侧的另一面,该电路层配置在所述绝缘板的一个面上,该金属箔配置在所述绝缘板的另一面上;
第2焊料,该第2焊料将所述半导体元件的另一面与所述绝缘基板的所述电路层进行接合;以及
树脂,该树脂至少将所述半导体元件、所述引线端子、所述第1焊料以及所述绝缘基板进行密封,
所述引线端子具有:通过所述第1焊料来接合的接合部;从所述接合部的端部向上方弯折的竖立部;以及从所述竖立部的端部向与所述半导体元件的面平行的方向弯折的水平部,
在将所述第1焊料的0.2%耐力设为A、将所述第2焊料的0.2%耐力设为B时,满足A<B的关系。
2.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述半导体元件的厚度为100微米以下。
3.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述半导体元件具备通过所述第1焊料与所述引线端子接合的表面电极,所述表面电极由铝、镍以及金这三层构成。
4.如权利要求3所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述第1焊料及所述第2焊料的熔点低于所述镍的结晶化温度。
5.如权利要求3所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述半导体元件的保护环的表面由第1聚酰亚胺膜所覆盖,所述第1聚酰亚胺与所述表面电极的间隙由第2聚酰亚胺所填充。
6.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述引线端子的表面由异种金属所覆盖。
7.如权利要求6所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述覆盖的方法为镀覆。
8.如权利要求6所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述引线端子的覆盖厚度为10微米以下。
9.如权利要求6所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述引线端子的覆盖材料为镍。
10.如权利要求9所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述镍中所含的磷浓度为50%以下。
11.如权利要求9所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述镍中所含的磷浓度为20%以下。
12.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述引线端子的材料为铜。
13.如权利要求12所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述引线端子的厚度为0.5~1.0毫米。
14.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述第1焊料以锡为主成分,并且含有铜的比例为0.1wt%以上1.0wt%以下。
15.如权利要求14所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述第2焊料以锡为主成分,并且含有锑的比例为0.1wt%以上15wt%以下。
16.如权利要求14所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述第2焊料以锡为主成分,并且含有银的比例为3.5wt%,含有铜的比例为0.5wt%。
17.如权利要求1所述的电力用半导体模块,其特征在于,所述半导体元件为RC-IGBT。
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