[发明专利]成膜方法及等离子体化学气相沉积装置有效
申请号: | 201710111543.4 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN107142461B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 橘和孝;佐藤贵康;佐藤羊治;中田博道;真锅和干;冈村诚士;山本出 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/513;C23C16/52 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高培培;车文 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
1.一种成膜方法,使用等离子体化学气相沉积装置,使供给到该等离子体化学气相沉积装置的反应炉内的碳氢化合物气体发生等离子化而分解,从而在设置于该反应炉内的工件上生成类金刚石碳膜,其特征在于,
从高频输出装置输出强度比第一强度大且比第二强度小的微波,
所述等离子体化学气相沉积装置是具备输出微波的所述高频输出装置和导波构件的装置,所述导波构件从所述反应炉外延伸至该反应炉内,以位于该反应炉内的部位对工件进行支承,并且使从所述高频输出装置输出的微波向该工件传播,
将使通过所述导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从所述高频输出装置输出的微波的强度设为所述第一强度,
将使该微波的强度从该第一强度逐渐加大的过程中该工件的偏置电流再次跳跃时的微波的强度设为所述第二强度。
2.根据权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
在向设置在所述反应炉内的工件传播微波来在该工件上生成类金刚石碳膜时,对该工件供给直流电流来使该工件带有负的电荷。
3.根据权利要求2所述的成膜方法,其特征在于,
所述等离子体化学气相沉积装置的导波构件具有:
长条状的第一导体,一端位于所述反应炉内,并通过该一端来支承工件;和
筒状的第二导体,位于比所述第一导体靠外周侧的位置,与该第一导体同轴配置,
通过对所述第一导体供给直流电压来使工件带有负的电荷,
将从所述高频输出装置输出的微波传播到所述第一导体的表面。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的成膜方法,其特征在于,
从高频输出装置输出强度比所述第一强度与所述第二强度的中间值大且比第二强度小的微波。
5.一种等离子体化学气相沉积装置,通过使供给到反应炉内的碳氢化合物气体发生等离子化而分解,从而在设置于该反应炉内的工件上生成类金刚石碳膜,其特征在于,包括:
高频输出装置,输出微波;及
导波构件,从所述反应炉外延伸至该反应炉内,以位于该反应炉内的部位对工件进行支承,并且使从所述高频输出装置输出的微波向该工件传播,
在对由所述导波构件支承的工件进行成膜时,所述高频输出装置输出强度比第一强度大且比第二强度小的微波,
将使通过所述导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从所述高频输出装置输出的微波的强度设为所述第一强度,
将使该微波的强度从该第一强度逐渐加大的过程中该工件的偏置电流再次跳跃时的微波的强度设为所述第二强度。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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