[发明专利]一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片结构

权利要求书

1.一种用于医疗美容激光器的量子阱/量子点混合激光芯片,其特征在于，包括：

N型衬底层（101)；

渐变波导层(102)，所述渐变波导层(102)位于所述N型衬底层(101)上；

量子阱/量子点混合有源层（103），所述量子阱/量子点混合有源层（103）位于所述渐变波导层（102）上；

刻蚀阻挡层（105），所述刻蚀阻挡层（105）与所述渐变波导层(104)之间设置所述渐变波导层（102）；

P型层(106)，所述P型层(106)位于所述刻蚀阻挡层(105)上；

帽层(107)，所述帽层(107)位于所述P型层（106）上;

其中，所述量子阱/量子点混合有源层（103）为采用分子束外延方法将量子点结构嵌入量子阱结构制备的混合有源层。

2.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述N型衬底层（101）由N型磷化铟（N-InP）制备而成。

3.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述渐变波导层（102）采用铝铟镓砷（Al_X1→X2Ga）In_Y1As四元组分结构，其中所述Al元素的组分由X1渐变至X2，X1大于X2。

4.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述量子阱/量子点混合有源层(103)为铝铟镓砷/铟砷/铝铟镓砷（Al_X3Ga）In_Y2As/InAs/（Al_X4Ga）In_Y3As多层循环结构。

5.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述刻蚀阻挡层（105）为铟镓砷磷（In_0.85GaAs_0.33P）四元结构。

6.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述P型层（106）由P型磷化铟（P-InP）制备而成。

7.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述帽层（107）为铟镓砷In_0.53Ga_0.47As三元结构。

8.根据权利要求1所述的量子阱/量子点混合激光芯片，其特征在于，所述N型衬底层（101）厚度为400~500微米；所述渐变波导层（102）厚度为0.15~0.2微米；所述量子阱/量子点混合有源层（103）总厚度为0.1~0.2微米；所述刻蚀阻挡层（105）厚度为0.02微米；所述P型层（106）厚度为1.5~2微米；所述帽层（107）厚度为0.15~0.25微米。