[发明专利]反铁电类材料在非易失性存储器件中的应用

权利要求书

1.一种集成电路元件，包括：

第一电极；

第二电极；以及

设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包含具有带有两个磁滞环的电荷-电压特性的箍缩磁滞环(PHL)材料的层，所述层具有内部偏置场，所述内部偏置场使所述箍缩磁滞环(PHL)材料的所述电荷-电压特性偏移，以使所述两个磁滞环中的一者与零电压状态对准，使得所述箍缩磁滞环(PHL)材料能够在外部电场不存在的情况下保持在选定的极化状态。

2.根据权利要求1所述的集成电路元件，其中，所述第一电极和所述第二电极具有导致所述第一电极和所述第二电极之间的功函数值差异的不同组成，所述功函数值差异诱导所述内部偏置场。

3.根据权利要求2所述的集成电路元件，其中，所述第一电极和所述第二电极的功函数值差异在0.7eV至1.5eV的范围内。

4.根据权利要求1所述的集成电路元件，其中，所述层还包含诱导所述内部偏置场的固定电荷。

5.根据权利要求1所述的集成电路元件，其中，所述层还包括设置在所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个中间层。

6.根据权利要求5所述的集成电路元件，其中，所述至少一个中间层包含诱导所述内部偏置场的固定电荷。

7.根据权利要求5所述的集成电路元件，其中，所述至少一个中间层包含具有高结晶温度或高带隙的材料。

8.根据权利要求5所述的集成电路元件，其中，所述至少一个中间层包含Al₂O₃、SrO或稀土氧化物。

9.根据权利要求1所述的集成电路元件，其中，所述PHL材料包含场诱导铁电(FFE)材料。

10.根据权利要求9所述的集成电路元件，其中，所述场诱导铁电(FFE)材料包含ZrO₂或Zr_aX_bO₂，其中X为元素周期表的离子半径小于Zr的元素，并且a0，b0。

11.根据权利要求9所述的集成电路元件，其中，所述场诱导铁电(FFE)材料包含ZrO₂或Zr_aX_bO₂，其中a0，b0，并且X为以下各项之一：Hf、Si、Al、Ge、元素周期表的第二族的元素。

12.根据权利要求9所述的集成电路元件，其中，所述场诱导铁电(FFE)材料包含Hf_aX_bO₂，其中，X为元素周期表的离子半径小于Hf的元素，并且a0，b0。

13.根据权利要求9所述的集成电路元件，其中，所述场诱导铁电(FFE)材料包含Hf_aX_bO₂，其中a0，b0，并且X为以下各项之一：Zr、Si、Al、Ge、元素周期表的第二族的元素。

14.根据权利要求1所述的集成电路元件，其中，所述箍缩磁滞环(PHL)材料包含反铁电(AFE)材料。

15.根据权利要求1所述的集成电路元件，其中，所述箍缩磁滞环(PHL)材料包含弛豫型(RFE)材料。