[发明专利]用于恶劣媒介应用的半导体压力传感器

权利要求书

1.一种适于在车辆引擎的尾气环境下使用的被配置成用于测量包含腐蚀性成分的尾气的压力的半导体压力传感器组件，所述压力传感器组件包括：

包括用于允许暴露给所述尾气的开口的第一腔(1244)；

布置在所述腔(1244)中的压力传感器(1210)，所述压力传感器包括由第一抗腐蚀材料制成或由第一抗腐蚀材料覆盖的多个第一接合焊盘(1211)；

安装在第一基板(1254)上的CMOS芯片(1240)，所述CMOS芯片包括其上不具有抗腐蚀材料的多个第一接合焊盘(1241)，所述CMOS芯片(1240)以及所述CMOS芯片(1240)的第一接合焊盘(1241)用抗腐蚀塑性材料的封装来进行保护以免暴露给所述尾气，

其特征在于，所述半导体压力传感器组件还包括：

互连模块(1230)，包括第二基板(31)以及由第二抗腐蚀材料制成的多个导电通路(1233)，每一导电通路(1233)具有第一接合焊盘(1234)以及第二接合焊盘(1235)；

所述压力传感器的第一接合焊盘(1211)经由第一接合线(1251)连接到所述互连模块(1230)的第一接合焊盘(1234)，所述第一接合线由第三抗腐蚀材料制成；

所述CMOS芯片的第一接合焊盘(1241)经由第二接合线(1252)连接到所述互连模块(1230)的第二接合焊盘(1235)；

所述互连模块(1230)的第二接合焊盘(1235)、所述第二接合线(1252)以及所述互连模块(1230)的一部分通过用抗腐蚀塑性材料的封装来进行保护以免暴露给废气，而所述互连模块(1230)的所述第一接合焊盘(1234)被暴露并由此形成足够大以容纳所述压力传感器(1210)的腔(1244)。

2.如权利要求1所述的半导体压力传感器组件，其特征在于，所述互连模块小于所述压力传感器。

3.如权利要求1所述的半导体压力传感器组件，其特征在于：

所述第一基板是引线框架。

4.如权利要求1所述的半导体压力传感器组件，其特征在于：

所述第一抗腐蚀材料是Au或Pt或包括Au和Pt的混合物的合金或者是包含至少Au或Pt的合金；和/或

所述第三抗腐蚀材料是Au或Pt或者包括Au和Pt的混合物的合金。

5.如权利要求1所述的半导体压力传感器组件，其特征在于：

所述第二抗腐蚀材料是不同于铝且不同于铜的金属，或者

所述第二抗腐蚀材料是包含原子百分比小于5％的铝的金属合金；或者

所述第二抗腐蚀材料是包含小于5％重量的铝的金属合金；或者

所述第二抗腐蚀材料是包含原子百分比小于5％的铜的金属合金；或者

所述第二抗腐蚀材料是包含小于5％重量的铜的金属合金。

6.如权利要求1所述的半导体压力传感器组件，其特征在于：

所述第二抗腐蚀材料是选自包括Au、Pt、Pd、Ta、Ti、W、Ag、Mo的组的单种金属；或者

所述第二抗腐蚀材料是包括选自由Au、Pt、Pd、Ta、Ti、W、Ag、Mo组成的组的至少一种金属的金属合金；或者

所述第二抗腐蚀材料是Ni-Pd-Au堆叠。

7.如权利要求1所述的半导体压力传感器组件(1700；1800；1900；2000；2100)，其特征在于

所述互连模块(2030)被布置在所述CMOS芯片(2040)近旁，并且

所述压力传感器(2010)至少部分地位于所述CMOS芯片(2040)和所述互连模块(2030)中的一者或两者上方或之上。