[发明专利]声波设备及其晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种声波设备，其特征在于，包括基底、屏蔽环和声波器件，其中：

所述屏蔽环设置在所述基底和所述声波器件之间，以便由所述基底、屏蔽环和声波器件构成密闭腔室；

在所述密闭腔室中，所述声波器件的管脚焊盘与所述基底上对应的焊盘连接，以便引出所述声波器件的管脚。

2.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述屏蔽环为金属材料或塑性材料。

3.根据权利要求2所述的声波设备，其特征在于，

所述金属材料为金、银、铜、铁、镍、钯或锡。

4.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述屏蔽环通过焊接或胶粘方式与所述基底和所述声波器件连接。

5.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件的管脚焊盘为铝凸柱，铜凸柱或锡球。

6.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件包括声表面波SAW滤波器、体声波BAW滤波器或薄膜体声波FBAR滤波器，或者包括声表面波SAW双工器、体声波BAW双工器或薄膜体声波FBAR双工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技术制造的器件。

7.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述基底包括设置在所述基底顶部的上焊盘以及设置在所述基底底部的下焊盘，其中所述基底顶部的上焊盘与对应声波器件的管脚焊盘连接，所述基底顶部的上焊盘与所述基底底部对应的下焊盘连接。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的声波设备，其特征在于，

所述声波设备中包括多个一一对应的声波器件和屏蔽环。

9.根据权利要求8所述的声波设备，其特征在于，还包括与所述声波器件异质的第一电子器件，其中：

所述第一电子器件的管脚焊盘与所述基底上对应的焊盘连接，以便引出所述第一电子器件的管脚。

10.根据权利要求9所述的声波设备，其特征在于，

所述第一电子器件包括基于GaAs HBT工艺、GaAs pHEMT工艺或GaN工艺的射频功率放大器，基于GaAs pHEMT工艺的低噪声放大器，基于GaAs pHEMT工艺的开关，基于IPD工艺的滤波器中的至少一个。

11.根据权利要求9所述的声波设备，其特征在于，

在所述基底底部，与所述第一电子器件的管脚焊盘相对应的第一下焊盘同与所述声波器件的管脚焊盘相对应的第二下焊盘连接。

12.根据权利要求11所述的声波设备，其特征在于，

所述第一下焊盘通过重布线层RDL与所述第二下焊盘连接。

13.根据权利要求11所述的声波设备，其特征在于，还包括与所述声波器件异质的第二电子器件，其中：

所述第二电子器件包括第一连接焊盘和第二连接焊盘，所述第一连接焊盘与所述第一下焊盘连接，所述第二连接焊盘与所述第二下焊盘连接。

14.根据权利要求13所述的声波设备，其特征在于，

所述第二电子器件包括射频功率放大器的驱动级电路、开关电路、电源跟踪和包络跟踪电路、直流-直流转换电路、模数转换电路、数模转换电路中的至少一个。

15.一种声波设备的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

在基底上设置屏蔽环；

在所述屏蔽环上设置声波器件，以便由所述基底、屏蔽环和声波器件构成密闭腔室；

在所述密闭腔室中，将所述声波器件的管脚焊盘与所述基底上对应的焊盘连接，以便引出所述声波器件的管脚。

16.根据权利要求15所述的封装方法，其特征在于，

将所述声波器件的管脚焊盘与所述基底上对应的焊盘连接包括：

在所述声波器件的管脚焊盘下方的基底中制作通孔；

在所述基底的上表面形成与所述声波器件的管脚焊盘连接的上焊盘；

所述上焊盘沿所述通孔延伸到所述基底的下表面以形成下焊盘。