[发明专利]一种阵列基板及发光二极管显示器

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种阵列基板及发光二极管显示器。

背景技术

现有阵列基板的制作过程中，发光元件通常通过焊接等转移工艺与阵列基板键合，但键合过程中，阵列基板上的静电或者键合过程中产生的静电，极易造成发光元件的静电炸伤，降低阵列基板的制程良率。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及发光二极管显示器，能够解决现有阵列基板制作过程中极易造成发光元件静电炸伤的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：多个阵列排布的像素电路和多个静电防护组件；其中，每个像素电路至少包括：发光元件和驱动电路，驱动电路连接发光元件，用于驱动发光元件发光；静电防护组件耦接于两个相邻的像素电路的发光元件之间，用于防止静电击穿发光元件。

其中，发光元件是发光二极管，静电防护组件耦接与两个相邻的发光二极管的阳极之间。

其中，静电防护组件包括第一开关管和第二开关管；第一开关管的第一连接端与两个相邻的发光二极管中一个发光二极管的阳极连接，第一开关管的第二连接端分别与第一开关管的控制端、第二开关管的控制端和第二开关管的第一连接端连接，第二开关管的第二连接端与另一个发光二极管的阳极连接。

其中，静电防护组件包括第一二极管和第二二极管；第一二极管的阴极与两个相邻的发光二极管中一个发光二极管的阳极连接，第一二极管的阳极与第二二极管的阳极连接，第二二极管的阴极与另一个发光二极管的阳极连接。

其中，静电防护组件是金属氧化物压敏电阻。

其中，静电防护组件是双向瞬态二极管。

其中，静电防护组件是聚合物浪涌抑制器。

其中，静电防护组件是气体放电管。

其中，阵列基板进一步包括多条相互平行的扫描线，多条与扫描线垂直的数据线，扫描线与数据线交叉围成多个阵列排布的像素，像素电路分别设置在像素中；驱动电路至少包括：第三开关管、第四开关管和电容；其中，第三开关管的控制端与扫描线连接，第三开关管的第一连接端与数据线连接，第三开关管的第二连接端和第四开关管的控制端分别通过电容与发光二极管的阳极耦接，第四开关管的第一连接端与电源连接，第四开关管的第二连接端与发光二极管的阳极连接。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种发光二极管显示器，至少包括如前所述的阵列基板。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在阵列基板的两个相邻的像素电路的发光元件之间耦接静电防护组件，使得阵列基板上的静电或者发光元件与阵列基板键合过程中产生的静电通过静电防护组件释放，从而防止静电击穿发光元件，提高阵列基板的制程良率。

附图说明

图1是本发明阵列基板第一实施方式的电路结构示意图；

图2是本发明阵列基板第二实施方式的电路结构示意图；

图3是本发明阵列基板第三实施方式的电路结构示意图；

图4是本发明阵列基板第四实施方式的电路结构示意图；

图5是本发明阵列基板第五实施方式的电路结构示意图；

图6是本发明阵列基板第六实施方式的电路结构示意图；

图7是本发明阵列基板第七实施方式的电路结构示意图；

图8是本发明发光二极管显示器一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，图1是本发明阵列基板第一实施方式的电路结构示意图。如图1所示，本发明阵列基板10包括：多个阵列排布的像素电路101和多个静电防护组件102；

其中，每个像素电路101至少包括：发光元件1012和驱动电路1013，驱动电路1013连接发光元件1012，用于驱动发光元件1012发光；静电防护组件102耦接于两个相邻的像素电路101的发光元件1012之间，用于防止静电击穿发光元件1012。

在一个应用例中，发光元件1012是发光二极管，静电防护组件102耦接与两个相邻的发光二极管1012的阳极之间；