[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)在GaN基发光二极管外延片的p型GaN层上蒸镀一层透明导电膜；

(2)在透明导电膜表面涂上正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出透明导电膜台面图形；

(3)对透明导电膜进行腐蚀，腐蚀出由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形，继续腐蚀使光刻胶图形与透明导电膜台面之间形成间隙，通过控制腐蚀时间，制作出p型GaN台面结构，冲水甩干，不需要去除表面光刻胶；

(4)根据p型GaN台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面的光刻胶；

(5)分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；

(6)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。

2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中透明导电膜的厚度为

3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中透明导电膜表面所涂的正性光刻胶的厚度为

4.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中透明导电膜表面匀正性光刻胶的厚度应大于做透明导电膜时正性光刻胶的厚度，以利于光刻胶对已形成的台阶的完全覆盖及涂胶后光刻胶表面的平坦化，且光刻胶厚度要足够抵挡干法刻蚀。

5.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(5)的具体过程如下：

①在经步骤(3)处理后的GaN基外延片上涂上3.5-5.5μm厚的负性光刻胶，进行对准、曝光、显影和烘干后对所述负性光刻胶进行光刻，其中用热板在90-100℃下烘烤1-2分钟对准，然后在紫外线下曝光10-20秒，再烘干后使用四甲基氢氧化铵显影20-40秒，用热板在90-100℃下烘烤1-2分钟，在透明导电膜和n型GaN层上光刻出p型电极和n型电极区域的负胶电极图形；

②然后用腐蚀液腐蚀10-15分钟腐蚀掉P电极区域下导电膜；

③最后在所述p型电极区域和n型电极区域分别沉积2μm-3μm厚的Cr金属层和Au金属层，剥离负性光刻胶后得到p型金属电极和n型金属电极。

6.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(6)中的钝化层氧化硅薄膜厚度为

7.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(6)制备钝化层的具体过程如下：

使用化学气相沉积法首先在GaN基发光二极管芯片的上表面沉积一层厚的氧化硅薄膜作为钝化层，然后在钝化层的表面涂上厚1.5μm-3μm的正性光刻胶，在90℃-100℃烘箱下烘烤5-10分钟，然后曝光机对准在紫外线下曝光5-10秒，使用四甲基氢氧化铵显影15-30秒，在90℃-100℃烘箱下烘烤5-10分钟，放入SiO₂腐蚀液中腐蚀30-60秒，腐蚀掉未被光刻胶保护的SiO₂薄膜，放入丙酮中5-10分钟，然后在乙醇中5-10分钟，取出后使用去离子水冲洗5-10分钟，去除表面的光刻胶，形成钝化层，得到GaN基发光二极管。