[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201710115703.2 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511574A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林伟;闫宝华;刘琦;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 刻蚀 小台 电流阻挡层 钝化层 光刻胶 大台 制备 轰击 光电子技术领域 芯片 等离子体轰击 透明导电膜 产品良率 干法刻蚀 光刻腐蚀 结构图形 一次光刻 曝光 不导电 大台面 过腐蚀 离子体 再生长 步数 去胶 显影 匀光 蒸镀 生长 | ||
1.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括如下步骤:
(1)在GaN基发光二极管晶片的P型GaN层表面生长电流阻挡层；
(2)在生长完电流阻挡层后的晶片上甩正性光刻胶，做出电流阻挡层图形后，去除表面残留光刻胶；
(3)在带有电流阻挡层的晶片上蒸镀透明导电膜；
(4)在透明导电膜上甩正性光刻胶，经过显影、曝光、腐蚀和坚膜后做出大台图形；
(5)刻蚀晶片；
(6)将刻蚀之后的晶片使用离子体进行轰击，将光刻胶的大台图形轰击为小台图形；
(7)腐蚀掉小台图形外的透明导电膜；
(8)去除光刻胶；
(9)在晶片表面生长SiO2钝化层；
(10)在生长了钝化层的晶片上甩负性光刻胶，通过曝光、显影和腐蚀光刻出电极图形，其中腐蚀步骤中将钝化层和电流阻挡层一起腐蚀。
(11)蒸镀电极，蒸镀后通过剥离和清洗完成P电极和N电极的蒸镀。
2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中电流阻挡层的厚度为500埃-5000埃。
3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中正性光刻胶的厚度为10000-30000埃。
4.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(3)中氧化铟锡的厚度为500－3000埃。
5.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(4)中正性光刻胶的厚度为10000-50000埃。
6.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(5)中刻蚀深度为11000-21500埃。
7.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(6)中进行轰击的离子体的流量为10-200sccm，上射频源功率为100-400W，下射频源功率为
100-400W。
8.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(9)中生长的钝化层厚度为700-2500埃。
9.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(10)中负性光刻胶的厚度为10000-30000埃。
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