[发明专利]体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法在审
申请号: | 201710116128.8 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN107154456A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 阿畠润 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L41/08 | 分类号: | H01L41/08;H01L41/335 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 器件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法,该体弹性波器件利用了在物质的内部传播的体弹性波(BAW:Bulk Acoustic Wave)。
背景技术
在以移动电话为首的无线通信设备中,仅使希望的频段的电信号通过的带通滤波器占有重要的位置。作为该带通滤波器中的一种,公知利用了表面弹性波(SAW:Surface Acoustic Wave)的SAW器件(SAW滤波器)。
SAW器件例如具有由水晶(SiO2)等压电材料制成的结晶基板和形成于结晶基板的正面的梳齿状的电极(IDT:Inter Digital Transducer,互连数字转换器),该SAW器件仅使根据压电材料的种类或电极的间隔等而确定的频段的电信号通过。
但是,在该SAW器件中,产生在输入侧的电极附近的弹性波的一部分有时在结晶基板的内部传播而在背面侧被反射。当所反射的弹性波到达输出侧的电极时,SAW器件的频率特性会退化。因此,在结晶基板的背面上形成微细的凹凸构造以使弹性波变得容易漫射,来防止反射的弹性波到达电极(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2003-8396号公报
近年来,作为SAW器件的改进型,利用了在物质的内部传播的体弹性波(BAW:Bulk Acoustic Wave)的BAW器件(BAW滤波器)备受瞩目。体弹性波器件例如具有共振器(压电元件),在该共振器中,在由钼(Mo)等构成的电极之间夹入了由氮化铝(AlN)等压电材料制成的压电膜。
该共振器例如形成在由硅(Si)等半导体材料制成的基板上。由于BAW器件不具有SAW器件那样的梳齿状的电极构造,所以有利于实现低损失化、高承受功率化。并且,由于不需要使用由压电材料制成的结晶基板,所以还能够与其他的有源器件一体地形成。
在制造BAW器件时,例如,对在正面侧形成有多个共振器的基板的背面进行磨削而将其薄化至规定的厚度,之后通过划片来分割成与各共振器对应的多个BAW器件。由于该BAW器件的频率特性也会因在基板的背面侧发生反射的弹性波而退化,所以在上述的工序中,实施粗磨削以便形成微细的凹凸构造,并通过蚀刻来去除所产生的机械畸变。
发明内容
但是,当为了去除因磨削产生的机械畸变而采用蚀刻时,存在对环境的负荷变大的问题。本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法,将制造时对环境的负荷抑制为较低。
根据本发明的一方式,提供一种体弹性波器件,其具有基板以及形成于该基板的正面上的压电元件,其特征在于,在该基板的背面侧设置有包含凹部的弹性波扩散区域,该凹部是将该基板的背面局部熔融而形成的。
并且,根据本发明的另一方式,提供一种体弹性波器件的制造方法,利用该制造方法制造出上述体弹性波器件的体弹性波器件,其特征在于,该体弹性波器件的制造方法包含如下的弹性波扩散区域形成工序:从该基板的背面侧照射对于该基板具有吸收性的波长的激光光线,将该基板的背面局部熔融,由此形成包含凹部的弹性波扩散区域。
关于本发明的BAW器件,由于具有包含凹部的弹性波扩散区域,该凹部是将基板的背面局部熔融而形成的,所以不需要像以往的BAW器件那样对基板的背面进行粗磨削而形成微细的凹凸构造。因此,不需要为了去除因磨削产生的机械畸变而采用蚀刻,能够将制造时对环境的负荷抑制为较低。
附图说明
图1的(A)是示意性地示出BAW器件的上表面侧外观的立体图,图1的(B)是示意性地示出BAW器件的下表面侧外观的立体图,图1的(C)是示意性地示出BAW器件的层叠构造的剖视图。
图2的(A)是示意性地示出形成有多个共振单元的基板的结构例的立体图,图2的(B)是示意性地示出形成有多个共振单元的基板的结构例的剖视图。
图3是示意性地示出激光加工装置的结构例的立体图。
图4的(A)是示意性地示出弹性波扩散区域形成工序的局部剖视侧视图,图4的(B)是示意性地示出改质层形成工序的局部剖视侧视图。
图5的(A)和图5的(B)是示意性地示出分割工序的局部剖视侧视图。
标号说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710116128.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:密封光半导体元件的制造方法
- 下一篇:电极的制造方法及电阻式随机存取内存