[发明专利]成像装置和电子设备有效
申请号: | 201710116321.1 | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN107068705B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 荻田知治;山本笃志;田谷圭司;大塚洋一;田渕清隆 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种成像装置,其包括:
多个光电转换元件;
多个滤色器部件,所述多个滤色器部件设置在所述多个光电转换元件上方,并包括第一滤色器部件和与所述第一滤色器部件相邻的第二滤色器部件;
遮光部,在截面图中,所述遮光部的至少一部分设置在所述第一滤色器部件与所述第二滤色器部件之间;以及
粘合剂膜,在所述截面图中,所述粘合剂膜的至少一部分设置在所述第一滤色器部件与所述遮光部之间,
其中,所述粘合剂膜的面对所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的表面是非平坦的,且
其中,在所述截面图中,所述粘合剂膜的厚度小于所述遮光部的厚度。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述多个光电转换元件包括对应于所述第一滤色器部件的第一光电转换元件和对应于所述第二滤色器部件的第二光电转换元件。
3.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件是被平坦化的。
4.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述粘合剂膜设置在所述遮光膜的一个表面和所述滤色器部件之间。
5.根据权利要求1所述的成像装置,其还包括:
绝缘体膜,所述绝缘体膜处于所述光电转换元件和所述滤色器部件之间。
6.根据权利要求1所述的成像装置,其中,氧化物膜设置在所述粘合剂膜和所述遮光部之间。
7.根据权利要求6所述的成像装置,其中,所述氧化物膜设置在所述遮光部的一个表面上。
8.根据权利要求6所述的成像装置,其中,所述氧化物膜包括从由SiO2膜、P-SiO膜或HDP-SiO膜组成的群组中选择的膜。
9.根据权利要求1所述的成像装置,其中,微型透镜直接设置在所述滤色器部件之中的相应滤色器部件上。
10.根据权利要求1所述的成像装置,其还包括:
第一基板,所述第一基板具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,其中,所述第一基板包括所述多个光电转换元件。
11.根据权利要求10所述的成像装置,其中,所述第一基板的厚度为3-5μm。
12.根据权利要求10所述的成像装置,其还包括:
多个晶体管,所述多个晶体管设置在所述第一基板的所述第二侧。
13.根据权利要求12所述的成像装置,其中,所述多个晶体管包括与所述光电转换元件连接的转移晶体管。
14.根据权利要求12所述的成像装置,其中,所述多个晶体管包括复位晶体管和放大晶体管。
15.根据权利要求14所述的成像装置,其中,所述多个晶体管还包括与所述放大晶体管连接的选择晶体管。
16.根据权利要求12所述的成像装置,其还包括:
驱动电路,所述驱动电路被配置成驱动所述多个晶体管;和
列信号处理电路,所述列信号处理电路连接到信号线,并被配置成对像素列的信号进行降噪处理以及对从像素行输出的信号进行信号放大。
17.根据权利要求12所述的成像装置,其中,配线层设置成相邻于所述第一基板的所述第二侧。
18.根据权利要求17所述的成像装置,其中,所述配线层包括与所述多个晶体管之中的至少一个晶体管连接的信号线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的