[发明专利]成像元件、层叠型成像元件、固态成像装置及其驱动方法在审
申请号: | 201710116479.9 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN107146850A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 富樫秀晃;古闲史彦;山口哲司;平田晋太郎;渡部泰一郎;安藤良洋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L27/30 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 姚鹏,曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 元件 层叠 固态 装置 及其 驱动 方法 | ||
1.一种成像元件,所述成像元件包括:
基板,所述基板具有第一光电转换单元;以及
第二光电转换单元,所述第二光电转换单元位于所述基板的光入射侧,所述第二光电转换单元包括:
光电转换层;
第一电极;
位于所述光电转换层上方的第二电极;
第三电极;以及
位于所述第三电极与所述光电转换层之间的绝缘材料,
其特征在于,
所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。
2.根据权利要求1所述的成像元件,进一步包括:
所述绝缘材料的位于所述第三电极与所述光电转换层之间的第一区域;以及
所述绝缘材料的位于所述第三电极与所述第一电极之间的第二区域,
其特征在于,
所述绝缘材料的所述第二区域包括含有所述绝缘材料的第一绝缘层和含有所述绝缘材料的第二绝缘层,并且所述第一绝缘材料层叠在所述第二绝缘材料上。
3.根据权利要求2所述的成像元件,其特征在于,所述第二区域中的所述第一绝缘层的一部分位于所述第一电极和所述光电转换层之间。
4.根据权利要求2所述的成像元件,其特征在于,所述第一区域和所述第二区域包括含有所述绝缘材料的不同数量的绝缘层。
5.根据权利要求1所述的成像元件,进一步包括:
传输控制电极,所述传输控制电极位于所述第一电极和第三电极之间。
6.根据权利要求5所述的成像元件,其特征在于,
在电荷存储操作期间,施加至所述传输控制电极的电位低于施加至所述第三电极的电位。
7.根据权利要求5所述的成像元件,其特征在于,所述基板包括第三光电转换单元,并且所述第一光电转换单元、所述第二光电转换单元和所述第三光电转换单元分别连接至单独的信号线。
8.根据权利要求1所述的成像元件,进一步包括:
电荷排出电极,所述电荷排出电极与所述第一电极和所述第三电极分离,并且所述光电转换层与所述电荷排出电极接触。
9.根据权利要求8所述的成像元件,其特征在于,所述电荷排出电极围绕所述第一电极和所述第三电极。
10.根据权利要求1所述的成像元件,进一步包括多个第三电极段。
11.根据权利要求10所述的成像元件,其特征在于,施加至位于最靠近所述第一电极位置处的所述第三电极段的电位高于施加至位于最远离所述第一电极位置处的所述第三电极段的电位。
12.根据权利要求1所述的成像元件,其特征在于,所述光电转换层包括层叠层结构,所述层叠层结构包括下半导体层和上半导体层。
13.根据权利要求12所述的成像元件,其特征在于,位于所述第三电极上方的所述下半导体层的材料组成不同于位于所述第一电极上方的所述下半导体层的材料组成。
14.根据权利要求12所述的成像元件,其特征在于,所述下半导体层包括含铟氧化物。
15.根据权利要求1所述的成像元件,其特征在于,在电荷存储期间,施加至所述第三电极的电位高于施加至所述第一电极的电位。
16.根据权利要求1所述的成像元件,其特征在于,所述绝缘材料的至少一部分布置在所述第一电极上方。
17.根据权利要求16所述的成像元件,其特征在于,随着所述第一电极与所述第三电极之间的距离减小,位于所述第一电极的上表面与所述光电转换层之间的所述绝缘材料的厚度在所述第一电极的第三电极侧增大。
18.根据权利要求1所述的成像元件,其中,所述成像元件为背照式成像元件。
19.一种电子设备,所述电子设备包括:
成像元件,所述成像元件是如权利要求1至18中任一项所述的成像元件;
透镜,所述透镜被构造用于将光引导至所述成像元件的表面上;以及
电路,所述电路被构造用于控制来自所述成像元件的输出信号。
20.一种成像元件的驱动方法,所述驱动方法包括如下步骤:
在充电期间,将第一电位施加至电荷存储电极;
在所述充电期间,将第二电位施加至第一电极,其中,所述第一电位高于所述第二电位;
在电荷传输期间,将第三电位施加至所述电荷存储电极;并且
在所述电荷传输期间,将第四电位施加至所述第一电极,其中,所述第四电位高于所述第三电位,并且
所述成像元件是如权利要求1至18中任一项所述的成像元件。
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