[发明专利]带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法

说明书

本发明公开了一种带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法，包括步骤：步骤一、根据晶圆上存储器芯片的主区域的阵列结构和冗余单元的结构设置存储器测试机中的存储失效地址的存储器的行地址和列地址的长度；步骤二、对芯片单元进行测试，并将每一行的测试结果进行或运算后存储到行地址相同的存储失效地址的存储器中；步骤三、读取存储失效地址的存储器中的各行的内容得出失效的行数以及行地址；步骤四、判断存储器芯片的主区域的各失效的行能否修复，如能则分配冗余单元替换存储器芯片的主区域的失效行。本发明能有效减少测试时间，降低测试成本。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法。

背景技术

晶圆测试(Circuit Probing,CP)也称电路针测，是在封装前直接在晶圆(wafer)上对芯片晶粒(die)进行测试，用于验证每个芯片是否符合产品规格。

目前在测试存储器芯片(Memory IC)时即对存储器芯片进行晶圆测试时为了提高测试良品率，会增加冗余单元(Redundancy Sector)，作用是当检测到芯片主区域(mainarray)有失效单元(fail bit cell)时，可以用冗余单元来替换主区域的失效单元，替换方式一般有硬件替换和软件替换两种，现在比较通用方法是软件替换。

要测试这类芯片一般需要用专用的存储器测试机(Memory Tester)，因为存储器测试机会带有一种特殊的随机存储器(RAM)，用来存储被测芯片(DUT)失效单元的地址，一般简称ECR或AFM。这块RAM可以记录测试流程中各个测试项累计测试的失效单元地址，通常使用中ECR或AFM的位(BIT)地址对应被测芯片的BIT地址是一一对应的，这样通过定义ECR或AFM的X或Y地址长度，可以测试得出各位芯片状态图 (BITMAP)，再读出每个ECR或AFM的BIT MAP地址数据，用算法计算出失效单元地址，并在流程最后统计出失效单元数的总和以及失效地址，用冗余单元来替换失效单元。但这个方法需要反复读取BIT MAP，再做算法运算，因为读取及算法操作在总线上属于串行操作，同测效率不高，如果测试同测数高的话，测试时间会非常长，造成测试成本过高，所以如何降低带冗余单元芯片的测试时间成为了测试工程师的巨大挑战。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法，能有效减少测试时间，降低测试成本。

为解决上述技术问题，本发明提供的带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法包括如下步骤：

步骤一、根据晶圆上存储器芯片的主区域的阵列结构和冗余单元的结构设置存储器测试机中的存储失效地址的存储器的行地址和列地址的长度，所述存储器芯片的主区域的阵列结构为M行N列的结构，M和N都为整数；所述冗余单元为1行N列的结构，所述存储失效地址的存储器的行地址的长度为M，列地址的长度为1。

步骤二、采用所述存储器测试机对所述存储器芯片的主区域的各芯片单元进行测试，并将每一行的测试结果进行或运算后存储到行地址相同的所述存储失效地址的存储器中。

步骤三、读取所述存储失效地址的存储器中的各行的内容得出失效的行数以及行地址。

步骤四、判断所述存储器芯片的主区域的各失效的行能否修复，如能则分配所述冗余单元替换所述存储器芯片的主区域的失效行。

进一步的改进是，所述存储器测试机中的存储失效地址的存储器为ECR或AFM。

进一步的改进是，步骤二中对所述存储器芯片的主区域的各芯片单元的测试的项目包括一次以上。

进一步的改进是，步骤二的对所述存储器芯片的主区域的各芯片单元进行的每项测试中需要对测试向量进行设置，使得每读取完所述存储器芯片的主区域的一行芯片单元后才做行地址进位。