[发明专利]紫外LED芯片的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710117166.5 申请日: 2017-03-01
公开(公告)号: CN106947254A 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 齐胜利;沈春生;李玉荣 申请(专利权)人: 盐城东紫光电科技有限公司
主分类号: C08L83/04 分类号: C08L83/04;C08L81/06;C08K13/04;C08K3/34;C08K7/24;C08K5/14;C08K3/32;C08K3/38;H01L33/00
代理公司: 江阴大田知识产权代理事务所(普通合伙)32247 代理人: 陈建中
地址: 224000 江苏省盐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 紫外 led 芯片 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及紫外LED芯片的制备方法。

背景技术

紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED,但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED,而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高,因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途。

紫外LED的性能与紫外LED芯片息息相关,特别是紫外LED芯片的散热性能,很大程度上决定了紫外LED的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种紫外LED芯片的制备方法,采用经过特殊优化的基底,基底的导热性能好,且基底还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能,可靠性好,能提高紫外LED的性能。

为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种紫外LED芯片的制备方法,包括如下步骤:

1)制备Si锭;

2)将Si锭切割成多个Si衬底;

3)将Si衬底抛光;

4)在Si衬底上制备GaN外延;

5)将Si衬底从GaN外延底面剥离;

6)在GaN外延顶面制备电极;

7)将GaN外延底面固定于基底上,制得紫外LED芯片;

按重量份计,所述基底由以下组分组成:

35~41份环氧改性有机硅树脂,

12~22份聚砜树脂,

2~3份白石墨,

1~2份磷酸二氢钙,

3~4份滑石粉,

6~8份过氧化二异丙苯,

7~9份卵磷脂,

1~4份碳纳米管,

5~8份聚甘油单硬脂酸酯,

2~4份钼酸钠,

1~3份三聚磷酸二氢铝,

2~4份四硼酸钾,

8~9份六偏磷酸钠,

4~6份烷基硫酸酯钠。

优选的,按重量份计,所述基底由以下组分组成:

41份环氧改性有机硅树脂,

22份聚砜树脂,

3份白石墨,

2份磷酸二氢钙,

4份滑石粉,

8份过氧化二异丙苯,

9份卵磷脂,

4份碳纳米管,

8份聚甘油单硬脂酸酯,

4份钼酸钠,

3份三聚磷酸二氢铝,

4份四硼酸钾,

9份六偏磷酸钠,

6份烷基硫酸酯钠。

优选的,按重量份计,所述基底由以下组分组成:

35份环氧改性有机硅树脂,

12份聚砜树脂,

2份白石墨,

1份磷酸二氢钙,

3份滑石粉,

6份过氧化二异丙苯,

7份卵磷脂,

1份碳纳米管,

5份聚甘油单硬脂酸酯,

2份钼酸钠,

1份三聚磷酸二氢铝,

2份四硼酸钾,

8份六偏磷酸钠,

4份烷基硫酸酯钠。

本发明的优点和有益效果在于:提供一种紫外LED芯片的制备方法,采用经过特殊优化的基底,基底的导热性能好,且基底还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能,可靠性好,能提高紫外LED的性能。

基底的性能是基于其材料的,而基底材料的性能是由其组分及配比所决定的,本发明对基底材料的组分及配比进行特殊优化,使基底材料具有优异的导热性能,且基底材料还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能,可靠性好,非常适用于紫外LED芯片。

基底材料的性能是由其组分及配比所决定的,而组分及配比的确定非简单地“加法”,即并非将各个组分的性能一一累加就可得出基底材料的性能;基底材料中的不同组分会相互影响,如果组分及其配比不相互协调,单个组分所带来的有益效果,会被其他组分消减甚至消除,严重的时候,不同组分相互抵触,起不到整体综合作用,产生负作用和次品。本发明通过大量创造性劳动、反复验证,得到基底材料的最优组分及配比,使得多个组分综合在一起、相互协调、并产生正向综合效应,最终使基底材料具有优异的导热性能,还进一步使基底材料具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃性能,基底可靠性好,非常适用于紫外LED芯片。

具体实施方式

下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。

本发明具体实施的技术方案是:

实施例1

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