[发明专利]太赫兹发射天线系统在审
申请号: | 201710117566.6 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN106654594A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 郑小平;苏云鹏;邓晓娇 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01Q15/14 | 分类号: | H01Q15/14;H01Q15/16;H01Q19/10;H01Q3/00 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司11606 | 代理人: | 刘葛 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 赫兹 发射 天线 系统 | ||
1.一种太赫兹发射天线系统,其特征在于,包括光导天线、透镜、主反射器、副反射器;
所述光导天线用于产生太赫兹辐射波;
所述透镜用于对所述太赫兹辐射波进行会聚,将会聚后的太赫兹辐射波作为发射天线的馈源;
所述副反射器用于将汇聚后的太赫兹辐射波反射至主反射器;
所述主反射器用于将经过副反射器反射的太赫兹波再次进行反射,形成太赫兹波束。
2.根据权利要求1所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述主反射器为抛物面结构,所述副反射器为双曲面结构,且主反射器与副反射器弯曲方向相同。
3.根据权利要求2所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述主反射器抛物面直径为:
其中,G为太赫兹发射天线增益,D为主反射器直径抛物面直径,λ为太赫兹波长,g为太赫兹卡塞格伦定向发射天线的增益因子。
4.根据权利要求3所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述副反射器双曲面直径为主反射器直径的0.11-0.18倍。
5.根据权利要求2所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述主反射器与所述副反射器同轴设置,所述主反射器焦点与副反射器实焦点重合。
6.根据权利要求2所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述透镜设置于所述副反射器双曲面的虚焦点处。
7.根据权利要求1所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述光导天线靠近所述透镜设置,所述光导天线与所述透镜之间的距离为0-0.04mm。
8.根据权利要求1所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述透镜的材质为硅。
9.根据权利要求8所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述硅折射率为3.418,临界辐射角为45度。
10.根据权利要求1所述的太赫兹发射天线系统,其特征在于,所述光导天线通过馈电转接集成模块与金属电极连接。
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