[发明专利]一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种横向高压双极结型晶体管，其特征在于：包括P型衬底(100)、N型埋层(101)、P型埋层(102)、N型外延层(103)、N型重掺杂环区(104)、P型隔离穿透区(105)、N型穿通区(106)、P型环状体区(107)、N型重掺杂区(108)、场氧层(109)、预氧层(110)、TEOS金属前介质层(111)、发射区金属(112)、集电极金属(113)和基极金属(114)；

所述N型埋层(101)位于P型衬底(100)上表面的中心位置；

所述P型埋层(102)位于P型衬底(100)上表面的两端；

所述N型外延层(103)位于N型埋层(101)之上，所述N型外延层(103)与P型衬底(100)、N型埋层(101)和P型埋层(102)相接触；

所述P型隔离穿透区(105)与N型外延层(103)的两端相接触，所述P型隔离穿透区(105)的底部与P型埋层(102)的顶部相连；

所述N型穿通区(106)位于N型埋层(101)的左端，所述N型穿通区(106)的底部与N型埋层(101)的顶部相连；

所述P型环状体区(107)位于N型外延层(103)中间位置，所述P型环状体区(107)包括远端环状区和中心区；

所述N型重掺杂区(108)呈环状结构；所述N型重掺杂区(108)的一端位于N型穿通区(106)的中间位置，另一端位于N型外延层(103)中；

所述N型重掺杂环区(104)位于P型环状体区(107)的远端环状区和中心区之间的位置；

所述场氧层(109)位于N型穿通区(106)上表面的外侧、穿通区(106)和P型环状体区(107)之间的上表面、P型环状体区(107)和N型重掺杂区(108)之间的上表面、N型重掺杂区(108)上表面的外侧；所述N型重掺杂区(108)为位于N型外延层(103)中的一端；

所述预氧层(110)位于N型外延层(103)之上的场氧层(109)之间的位置；

所述TEOS金属前介质层(111)覆盖在整个器件表面的未开接触孔的位置；所述接触孔分别位于P型环状体区(107)之内和N型穿通区(106)之内，所述接触孔与P型环状体区(107)和N型重掺杂区(108)相接触；

所述发射区金属(112)位于P型环状体区(107)中心区的接触孔内；所述发射区金属(112)与P型环状体区(107)和TEOS金属前介质层(111)相接触；所述发射区金属(112)的边缘金属尺寸不超过P型环状体区(107)；

所述集电极金属(113)位于P型环状体区(107)的远端环状区的接触孔内；所述集电极金属(113)与P型环状体区(107)和TEOS金属前介质层(111)相接触；所述集电极金属(113)的边缘金属尺寸超出P型环状体区(107)两端的长度为结深1～5倍；

所述基极金属(114)位于N型穿通区(106)之内的接触孔中；所述基极金属(114)与N型重掺杂区(108)和TEOS金属前介质层(111)相接触；所述基极金属(114)的边缘金属尺寸不超过N型重掺杂区(108)。

2.一种横向高压双极结型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供P型衬底(100)，生长氧化层；

2)一次光刻，光刻刻蚀去胶后，生长氧化层，进行N型埋层(101)注入；

3)二次光刻，光刻刻蚀去胶后，生长氧化层，进行P型埋层(102)注入；

4)生长N型外延层(103)，热生长氧化层；

5)三次光刻，光刻后在N型外延层(103)的元胞两端进行N型穿通区(106)扩散，生长氧化层；

6)四次光刻，在器件两端进行P型隔离穿透区(105)注入，LP(低压)淀积SIN(氮化硅)；

7)五次光刻，光刻SIN后，注入N型杂质，生长氧化层；

8)剥离残余SIN，生长氧化层；

9)六次光刻，光刻后进行P型环状体区(107)注入；

10)七次光刻，光刻后进行N型重掺杂区(108)和N型重掺杂环区(104)注入；

11)LP淀积TEOS(液态源形成的氧化层)；

12)七次光刻，刻蚀出接触孔，所述接触孔位于P型环状体区(107)之内和N型穿通区(106)中间；

13)金属淀积，八次光刻、反刻铝；

14)合金，钝化；

15)九次光刻，刻蚀出压焊点；

16)低温退火后，进行硅片初测、切割、装架、烧结和封装测试。