[发明专利]存储单元单粒子翻转功能传播率的计算方法及装置有效
申请号: | 201710119527.X | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN107025331B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 赵元富;郑宏超;李哲;岳素格;王亮;李建成;陈茂鑫;喻贤坤;姜柯;于春青;王汉宁;刘琳;毕潇;杜守刚;王煌伟;赵旭;穆里隆;李继华;简贵胄;初飞;祝长民;王思聪;李月 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 范晓毅 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 单元 粒子 翻转 功能 传播 计算方法 装置 | ||
1.一种存储单元单粒子翻转功能传播率的计算方法,其特征在于,包括:
获取仿真输入向量的仿真时间,并统计数字集成电路中预选单一种类的存储单元的数量;
统计每个所述存储单元的单粒子翻转有效生存时间;
根据所述单粒子翻转有效生存时间和所述仿真时间,计算每个所述存储单元的单粒子翻转功能传播率,所述单粒子翻转功能传播率为发生单粒子翻转的存储单元被捕获且传播的概率;
利用所述每个存储单元的单粒子翻转功能传播率和所述数量,计算所述预选单一种类的存储单元的单粒子翻转功能传播率;
其中,统计每个所述存储单元的单粒子翻转有效生存时间,包括:
获取当前存储单元的写操作时刻;
计算所述当前存储单元在每个所述写操作时刻的单粒子翻转有效生存时间;
将所述单粒子翻转有效生存时间相加,以计算所述当前存储单元的单粒子翻转有效生存时间;
更新所述当前存储单元,并返回执行获取写操作时刻的步骤,直至统计出每个存储单元的单粒子翻转有效生存时间;
计算所述当前存储单元在每个所述写操作时刻的单粒子翻转有效生存时间,包括:
在当前写操作时刻之前,寻找与所述当前写操作时刻最相邻的写操作时刻和读操作时刻;
将所述最相邻读操作时刻减去所述最相邻写操作时刻,以获取所述当前存储单元在所述当前写操作时刻的单粒子翻转有效生存时间;
更新所述当前写操作时刻,返回执行寻找最相邻写操作时刻和最相邻读操作时刻的步骤,直至计算出当前存储单元在每个写操作时刻的单粒子翻转有效生存时间;
单粒子翻转功能传播率的计算公式为:
公式(1)中,P·为当前存储单元的单粒子翻转功能传播率;T·为当前存储单元的单粒子翻转有效生存时间;T为仿真输入向量的仿真时间;
预选种类存储单元的单粒子翻转功能传播率的计算公式为:
公式(2)中,P为预选种类存储单元的单粒子翻转功能传播率;SUM表示求和运算;P1,P2,…PN表示每个存储单元的单粒子翻转功能传播率;N为数字集成电路中预选种类的存储单元的数量。
2.一种存储单元单粒子翻转功能传播率的计算装置,其特征在于,包括:
获取模块,用于获取仿真输入向量的仿真时间,并统计数字集成电路中预选单一种类的存储单元的数量;
统计模块,用于统计每个所述存储单元的单粒子翻转有效生存时间;
第一计算模块,用于根据所述单粒子翻转有效生存时间和所述仿真时间,计算每个所述存储单元的单粒子翻转功能传播率,所述单粒子翻转功能传播率为发生单粒子翻转的存储单元被捕获且传播的概率;
第二计算模块,用于利用所述每个存储单元的单粒子翻转功能传播率和所述数量,计算所述预选单一种类的存储单元的单粒子翻转功能传播率;
其中,统计模块包括:
获取子模块,用于获取当前存储单元的写操作时刻;
计算子模块,用于计算所述当前存储单元在每个所述写操作时刻的单粒子翻转有效生存时间;
累计子模块,用于将所述单粒子翻转有效生存时间相加,以计算所述当前存储单元的单粒子翻转有效生存时间;
返回子模块,用于更新所述当前存储单元,并返回执行获取写操作时刻的步骤,直至统计出每个存储单元的单粒子翻转有效生存时间;
计算子模块包括:
寻找单元,用于在当前写操作时刻之前,寻找与所述当前写操作时刻最相邻的写操作时刻和读操作时刻;
消减单元,用于将所述最相邻读操作时刻减去所述最相邻写操作时刻,以获取所述当前存储单元在所述当前写操作时刻的单粒子翻转有效生存时间;
返回单元,用于更新所述当前写操作时刻,返回执行寻找最相邻写操作时刻和最相邻读操作时刻的步骤,直至计算出当前存储单元在每个写操作时刻的单粒子翻转有效生存时间;
单粒子翻转功能传播率的计算公式为:
公式(1)中,P·为当前存储单元的单粒子翻转功能传播率;T·为当前存储单元的单粒子翻转有效生存时间;T为仿真输入向量的仿真时间;
预选种类存储单元的单粒子翻转功能传播率的计算公式为:
公式(2)中,P为预选种类存储单元的单粒子翻转功能传播率;SUM表示求和运算;P1,P2,…PN表示每个存储单元的单粒子翻转功能传播率;N为数字集成电路中预选种类的存储单元的数量。
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