[发明专利]在半导体衬底上的稀土金属表面活化等离子体掺杂

权利要求书

1.一种处理容纳在等离子体室中的衬底的方法，所述方法包括：

将稀土金属源引入所述处理室；

在所述衬底上的半导体材料之上沉积保形的含稀土金属的膜；和

在小于500℃的温度下对所述衬底退火，以在所述衬底的表面上形成稀土金属掺杂的非硅化物半导体材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述稀土金属源包括通过点燃含稀土金属的前体而产生的等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述保形的含稀土金属的膜被沉积为介于约2nm和约5nm之间的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底被图案化。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括具有小于约10nm的特征开口的特征。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述特征具有大于约1.5:1的深宽比。

7.一种用于处理包含半导体材料的半导体衬底的装置，所述装置包括：

一个或多个处理室，其中至少一个处理室包括用于加热所述半导体衬底的加热基座；

进入所述处理室和相关联的流控制硬件的一个或多个气体入口；和

具有至少一个处理器和存储器的控制器，其中所述至少一个处理器和所述存储器彼此通信地连接，

所述至少一个处理器至少能操作地与所述流控制硬件连接，

所述存储器存储计算机可执行指令，用于控制所述至少一个处理器以通过以下方式至少控制所述流控制硬件：

(i)将稀土金属源引入所述处理室以在所述衬底上的所述半导体材料之上沉积保形的含稀土金属的膜；和

(ii)在小于500℃的温度下加热所述衬底，以在所述衬底的表面上形成稀土金属掺杂的非硅化物半导体材料。

8.根据权利要求7所述的装置，其还包括等离子体发生器，其中所述稀土金属源包括通过点燃含稀土金属的前体而产生的等离子体。

9.根据权利要求7所述的装置，其还包括用于清洗所述半导体衬底的环境封闭的室。

10.根据权利要求7所述的装置，其还包括能够在所述环境封闭的室和所述一个或多个处理室之间移动所述半导体衬底而无空气断路的机器手。