[发明专利]一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法

权利要求书

1.一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：该清洗方法包括以下步骤：

a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡；

b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于丙酮中超声波清洗；

c、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于加热的由氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡；

d、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于加热的由盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡；

e、依次用臭氧水、氨水、高纯氮加去离子水分别冲洗SiC外延晶片表面；

f、依次用臭氧水、氢氟酸溶液、臭氧水分别冲洗SiC外延晶片表面；

g、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，高速旋转甩干。

2.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤a、c、d中，所述的混合洗液均加热至50～150℃。

3.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤b、c、d、e、f、g中，在对SiC外延晶片冲洗时，SiC外延晶片均处于高速旋转状态。

4.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤f中，所述氢氟酸溶液的浓度为0.1％～2％。

5.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤f中，使用氢氟酸溶液冲洗SiC外延晶片表面后，再使用臭氧水冲洗SiC外延晶片表面，使SiC外延晶片表面形成一层氧化膜。

6.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤a中，在硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中，硫酸与双氧水的配比为3:1。

7.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤c中，在氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中，氨水、双氧水、去离子水的配比为1:1:5。

8.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤d中，在盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中，盐酸、双氧水、去离子水的配比为1:1:5。

9.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤e中，用高纯氮加去离子水冲洗SiC外延晶时，该高纯氮压力值为80psi，去离子水流量为2.5L/min。