[发明专利]终点检测的蚀刻计量灵敏度有效
申请号: | 201710121052.8 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN107403736B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 安德鲁·D·贝利三世;穆罕默德·德里亚·特泰克;邓肯·W·米尔斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;G06F17/18;G06N3/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 终点 检测 蚀刻 计量 灵敏度 | ||
1.一种产生计算模型的方法,所述计算模型将由光能与在衬底上蚀刻的特征相互作用而产生的测得的光信号与在所述衬底上蚀刻的所述特征的目标几何参数的值相关联,所述方法包括:
确定用于所述计算模型的所述测得的光信号的范围,其中确定所述范围包括:
识别由于非目标几何参数的值的变化而在所述范围内的所述测得的光信号的第一变化,
识别由于所述目标几何参数的值的变化而在所述范围内的所测得的光信号的第二变化,并且
确定所述第二变化大于所述第一变化;
提供具有有在所述范围内的所述光信号的值的成员的训练集,其中所述训练集中的每个成员包括:(i)在所述衬底中蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的值,以及(ii)从蚀刻的特征产生的具有在所述衬底中蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的所述值的相关联的光信号;以及
从所述训练集产生所述计算模型。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述训练集的所述成员还包括在所述衬底中蚀刻的所述特征的非目标几何参数的值。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述训练集的所述成员是通过实验获得的。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述训练集的所述成员是通过计算生成的。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述训练集的所述成员从表面动力学模型并根据光学建模例程生成。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述训练集包括至少50个成员。
7.根据权利要求1所述的方法,其中从所述训练集产生所述计算模型包括使用神经网络或回归技术。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,蚀刻在所述衬底上的所述特征的所述目标几何参数是蚀刻深度、间距或蚀刻关键尺寸。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述光信号包括从蚀刻在所述衬底上的所述特征产生的反射率值。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,使得所述测得的光信号与非目标几何参数相关联相比于与所述目标几何参数相关联较不强的所述范围是波长范围。
11.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述范围包括针对所述目标几何参数的不同值,根据所述光信号与所述目标几何参数的相关性的变化来确定所述范围的变化。
12.一种计算模型,其被配置为根据测得的由光能与蚀刻在衬底上的特征相互作用而产生的光信号计算在所述衬底上蚀刻的所述特征的目标几何参数的值,其中所述计算模型根据权利要求1所述的方法生成。
13.根据权利要求12所述的计算模型,其中用于生成所述计算模型的所述训练集的所述成员还包括在所述衬底中蚀刻的所述特征的非目标几何参数的值。
14.根据权利要求12所述的计算模型,其中用于生成所述计算模型的所述训练集的所述成员是通过实验获得的。
15.根据权利要求12所述的计算模型,其中用于生成所述计算模型的所述训练集的所述成员是通过计算生成的。
16.根据权利要求15所述的计算模型,其中所述训练集的所述成员是从表面动力学模型并根据光学建模例程生成的。
17.根据权利要求12所述的计算模型,其中所述训练集包括至少50个成员。
18.根据权利要求12所述的计算模型,其中所述计算模型是使用神经网络或回归技术从所述训练集生成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造