[发明专利]一种离子注入或注入且沉积系统

权利要求书

1.一种离子注入或注入且沉积系统，包括：

注入或注入且沉积工作室，该注入或注入且沉积工作室的内部在处理工件时处于真空状态；

阴极靶台，将待处理的工件支撑于所述注入或注入且沉积工作室内；

粒子馈送源，用于给所述注入或注入且沉积工作室供应粒子；

粒子馈送管道，与所述粒子馈送源连接，用于将粒子送向所述注入或注入且沉积工作室；

等离子体增强放电装置，该等离子体增强放电装置为内壁与电子碰撞能发出二次电子的绝缘管，该绝缘管一端连接所述粒子馈送管道，另一端连接所述注入或注入且沉积工作室，使粒子能通过该绝缘管从所述粒子馈送管道进入所述注入或注入且沉积工作室。

2.如权利要求1所述的离子注入或注入且沉积系统，其中，所述绝缘管为直管、弯管或异型管。

3.如权利要求1所述的离子注入或注入且沉积系统，其中，所述绝缘管的内壁轮廓为圆形、椭圆形或多边形。

4.如权利要求1所述的离子注入或注入且沉积系统，其中，所述绝缘管的内壁轮廓的横向尺寸的范围是0.5mm～20mm。

5.如权利要求1所述的离子注入或注入且沉积系统，其中，所述绝缘管的长度范围是0.5cm～500cm。

6.如权利要求1-5中任一项所述的离子注入或注入且沉积系统，其中，所述等离子体增强放电利用了二次电子发射，装置的材料满足内壁与电子碰撞能发出二次电子且绝缘即可，如氧化铝陶瓷或石英玻璃。

7.如权利要求1-5中任一项所述的离子注入或注入且沉积系统，其中，所述粒子馈送源用于提供气体粒子，包括气瓶以及流量控制装置。

8.如权利要求7所述的离子注入或注入且沉积系统，还包括真空室，该真空室容纳所述注入或注入且沉积工作室和所述等离子体增强放电装置，并具有与所述粒子馈送管道的外表面密封地连接的开口。

9.如权利要求1-5中任一项所述的离子注入或注入且沉积系统，其中，所述粒子馈送源用于提供气态或汽态粒子，气态或汽态粒子可由馈送源中的固态或液态粒子蒸发或升华得到，包括：

气瓶和安装于该气瓶口处的流量控制装置；

加热腔体，该加热腔体具有安装于该加热腔体上的加热装置、加热腔体外屏蔽装置、流量控制装置和加热装置阀门，并且，该加热腔体的出口与所述粒子馈送管道连接，该加热腔体的入口通过气体传输管道与所述气瓶的流量控制装置连接；并且所述粒子馈送管道的至少一部分的外表面围绕有绝热装置，以给所述粒子馈送管道保温。

10.如权利要求9所述的离子注入或注入且沉积系统，还包括真空室，该真空室容纳所述注入或注入且沉积工作室和所述等离子体增强放电装置，并具有与所述绝热装置的一端密封地连接的开口。