[发明专利]P型PERC双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法有效
申请号: | 201710122394.1 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107039543B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 林纲正;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 双面 太阳能电池 及其 组件 系统 制备 方法 | ||
1.一种P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,依次包括背银电极、背铝栅线、背面钝化层、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,所述背银电极与背铝栅线垂直连接,所述背铝栅线上设有栅线脊骨,所述栅线脊骨与背铝栅线连接;
对背面钝化层通过激光开槽形成第一激光开槽区,所述背铝栅线通过第一激光开槽区与P型硅相连;
所述第一激光开槽区包括多组水平方向设置的第一激光开槽单元,每一组第一激光开槽单元包括一个或多个水平方向设置的第一激光开槽体,所述背铝栅线与第一激光开槽体垂直;
所述背铝栅线的根数为30-500条,背铝栅线印刷在平行设置的第一激光开槽区上,使得背铝栅线通过第一激光开槽区与P型硅形成局部接触;
所述栅线脊骨与背铝栅线垂直连接;
所述栅线脊骨下方设有第三激光开槽区,所述第三激光开槽区包括多组第三激光开槽单元,每一组第三激光开槽单元包括一个或多个竖直方向设置的第三激光开槽体,所述第三激光开槽体与栅线脊骨垂直,所述栅线脊骨通过第三激光开槽体与P型硅相连;
所述背铝栅线的宽度为30-500微米,所述背铝栅线的宽度小于所述第一激光开槽体的长度;
所述栅线脊骨的宽度为30-500微米,所述栅线脊骨的宽度小于所述第三激光开槽体的长度。
2.如权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,所述第一激光开槽单元之间为平行设置;每一第一激光开槽单元中,所述第一激光开槽体为并列设置,所述第一激光开槽体处于同一水平面上或上下错开;
所述第一激光开槽单元之间的间距为0.5-50mm;
每一第一激光开槽单元中,所述第一激光开槽体之间的间距为0.5-50mm;
所述第一激光开槽体的长度为50-5000微米,宽度为10-500微米。
3.如权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,所述栅线脊骨的根数为30-500条。
4.如权利要求3所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,所述栅线脊骨的图案为一条连续的直线或多个线段组成的虚线;
所述栅线脊骨由银浆制成,其宽度为30-60微米;或,所述栅线脊骨由铝浆制成,其宽度为50-500微米。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的P型PERC双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
(1)在硅片正面和背面形成绒面,所述硅片为P型硅;
(2)对硅片进行扩散,形成N型发射极;
(3)去除扩散过程形成的正面磷硅玻璃和周边PN结;
(4)在硅片背面沉积三氧化二铝膜;
(5)在硅片背面沉积氮化硅膜;
(6)在硅片正面沉积氮化硅膜;
(7)对硅片背面激光开槽,形成第一激光开槽区,所述第一激光开槽区包括多组水平方向设置的第一激光开槽单元,每一组第一激光开槽单元包括一个或多个水平方向设置的第一激光开槽体;
(8)在所述硅片背面印刷背银主栅电极;
(9)在所述硅片背面,沿着激光开槽的垂直方向印刷铝浆,得到背铝栅线,所述背铝栅线与第一激光开槽体垂直;
(10)在所述硅片背面印刷栅线脊骨;
(11)在所述硅片正面印刷正电极浆料;
(12)对硅片进行高温烧结,形成背银电极和正银电极;
(13)对硅片进行抗LID退火。
6.如权利要求5所述P型PERC双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(3)和(4)之间,还包括:
对硅片背面进行抛光。
7.如权利要求6所述P型PERC双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(7)还包括:
对硅片背面激光开槽,形成第三激光开槽区,所述第三激光开槽区包括多组第三激光开槽单元,每一组第三激光开槽单元包括一个或多个竖直方向设置的第三激光开槽体,所述第三激光开槽体与栅线脊骨垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的