[发明专利]一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器

权利要求书

1.一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，其特征在于：包括匹配单元、第一、第二、第三三个放大单元、复用单元、第一、第二两个负载单元以及电容C₄、电容C₅和电容C₆，射频输入信号RF_in连接匹配单元，匹配单元的输出连接第一放大单元，第一放大单元通过复用单元与第二放大单元连接，第二放大单元的输出连接第一负载单元，同时，第二放大单元的输出还通过电容C₄和电容C₅连接第三放大单元，第三放大单元的输出连接第二负载单元，第三放大单元的输出端也是低噪声放大器的输出端，通过电容C₆输出射频输出信号RF_out；其中：

匹配单元包括电容C₁、电感L₁和电感L₂，电容C₁的一端连接射频输入信号RF_in，电容C₁的另一端连接电感L₁与电感L₂的串联端，电感L₁的另一端接地；

第一放大单元包括NMOS管M₁和电阻R₁，NMOS管M₁的栅极连接偏置电压V_G1，NMOS管M₁的源极连接匹配单元中电感L₂的另一端，NMOS管M₁的衬底串联电阻R₁后接地；

复用单元包括电容C₂和电感L₃，电容C₂的一端与电感L₃的一端以及第一放大单元中NMOS管M₁的漏极连接在一起；

第二放大单元包括NMOS管M₂、NMOS管M₃和电容C₃，NMOS管M₂的栅极分别连接复用单元中电容C₂的另一端和偏置电压V_G2，NMOS管M₂的源极分别连接复用单元中电感L₃的另一端和电容C₃的一端，电容C₃的另一端连接NMOS管M₂的衬底并接地，NMOS管M₂的漏极连接NMOS管M₃的源级，NMOS管M₃的栅极连接偏置电压V_G3，NMOS管M₃的衬底接地；

第一负载单元包括电感L₄，电感L₄的一端与第二放大单元中NMOS管M3的漏极、电容C₄的一端以及电容C₅的一端连接在一起，电感L₄的另一端连接电源V_DD；

第三放大单元包括NMOS管M₄、NMOS管M₅和NMOS管M₆，NMOS管M₄的栅极分别连接电容C₄的另一端和偏置电压V_G4，NMOS管M₄的源极和衬底均接地，NMOS管M₄的漏极分别连接NMOS管M₅的漏极和NMOS管M₆的源级，NMOS管M₅的栅极分别连接电容C₅的另一端和偏置电压V_G5，NMOS管M₅的源极和衬底均接地，NMOS管M₆的栅极连接电源V_DD，NMOS管M₆的衬底接地；

第二负载单元包括电感L₅和电阻R₂，电感L₅的一端分别连接电阻R₂的一端和第三放大单元中NMOS管M₆的漏极并通过电容C₆输出射频输出信号RF_out，电感L₅另一端与电阻R₂的另一端以及电源V_DD连接在一起。