[发明专利]一种磁光表面等离子体共振传感器在审
| 申请号： | 201710122592.8 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106950198A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;刘传 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 等离子体 共振 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁光表面等离子体共振传感器，其特征在于：所述器件结构中磁性材料薄膜为铁钴合金FexCo1-x薄膜，其中0＜x＜1。
2.如权利要求1所述磁光表面等离子体共振传感器，其特征在于：
所述结构由下至上依次包括衬底基片、下层贵金属薄膜、磁性材料薄膜和上层贵金属薄膜；下层贵金属薄膜厚度为0～60nm，铁钴合金FexCo1-x薄膜厚度5～30nm，上层贵金属薄膜为20～60nm；所述下层贵金属薄膜厚度为0nm时整个器件为两层结构，不为0nm是三层结构。
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