[发明专利]基于三维印录存储器的可编程门阵列在审
| 申请号： | 201710122783.4 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN108540127A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复杂计算 计算单元 可编程门阵列 存储器 可编程 三维 可编程连接 逻辑编程 设置信号 同一硬件 阵列存储 查找表 门阵列 编程 | ||
1.一种可编程门阵列，其特征在于含有多个可编程计算单元，每个可编程计算单元含有：
第一和第二存储阵列，该第一存储阵列存储一第一函数的查找表（LUT），该第二存储阵列存储一第二函数LUT，所述第一和第二函数为不同函数，该第一和第二存储阵列中的LUT是在生产过程中通过非电编程的形式录入的；
第一可编程连接，该可编程连接将该可编程计算单元的一输入选择性地与该第一或第二存储阵列电耦合：当与该第一存储阵列电耦合时，该可编程计算单元实现该第一函数；当与该第二存储阵列电耦合时，该可编程计算单元实现该第二函数。
2.根据权利要求1所述的可编程门阵列，其特征还在于含有：
多个可编程逻辑单元，每个可编程逻辑单元可选择性地实现不同逻辑和/或算术功能；
第二可编程连接，至少部分所述可编程计算单元通过该第二可编程连接与至少部分所述可编程逻辑单元选择性地电耦合。
3.根据权利要求2所述的可编程门阵列，其特征还在于含有：
多个输入；
第三可编程连接，至少部分所述输入通过该第三可编程连接与至少部分所述可编程计算单元和/或至少部分所述可编程逻辑单元选择性地电耦合。
4.根据权利要求2所述的可编程门阵列，其特征还在于含有：
多个输出；
第四可编程连接，至少部分所述输出通过该第四可编程连接与至少部分所述可编程计算单元和/或至少部分所述可编程逻辑单元选择性地电耦合。
5.根据权利要求1所述的可编程门阵列，其特征还在于：所述第一和第二存储阵列为三维印录存储器（3D-P）阵列。
6.根据权利要求1所述的可编程门阵列，其特征还在于：所述第一和第二存储阵列为三维印录存储器（3D-P）阵列，该3D-P阵列堆叠在该第一可编程连接上方。
7.根据权利要求2所述的可编程门阵列，其特征还在于：所述第一和第二存储阵列为三维印录存储器（3D-P）阵列，该3D-P阵列堆叠在该可编程逻辑电路上方。
8.根据权利要求7所述的可编程门阵列，其特征还在于：该3D-P阵列覆盖至少部分该可编程逻辑电路。
9.根据权利要求1所述的可编程门阵列，其特征还在于：所述第一和第二存储阵列为三维印录存储器（3D-P）阵列，该第二3D-P阵列堆叠在该第一3D-P阵列上方。
10.根据权利要求9所述的可编程门阵列，其特征还在于：该第二3D-P阵列覆盖该第一3D-P阵列。
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