[发明专利]氮化镓薄膜材料外延生长的方法有效
| 申请号： | 201710122952.4 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106876250B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 闫发旺;张峰;赵倍吉;刘春雪;李晨 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 材料 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底表面形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成氮化镓子层；
中止生长一预设时间；
刻蚀部分所述氮化镓子层，使所述氮化镓子层表面起伏，其中，采用干法刻蚀工艺刻蚀部分所述氮化镓子层，所述干法刻蚀工艺采用的气体包括刻蚀气体和载气，所述刻蚀气体为Cl2或F2，Cl2或F2的流量为2slm～10slm，体积比为2％～10％；
多次重复所述形成氮化镓子层、中止生长以及刻蚀部分所述氮化镓子层的步骤，在所述缓冲层表面形成氮化镓层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，所述氮化镓子层的厚度为200nm～800nm。
3.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，所述氮化镓层的厚度为1μm～8μm。
4.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，所述预设时间为1s～60min。
5.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括三氧化二铝、氧化铪、氧化钛、氮化钛、氮化铝、氮化铝镓或氮化镓中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜材料外延生长的方法，其特征在于，所述衬底材料包括蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氧化铝、铝酸锂或氮化镓中的一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
