[发明专利]具有假条件关闭的主动控制瞬态过应力保护的装置和方法有效
申请号: | 201710123178.9 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107154615B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | S·帕萨萨拉希;J·萨克多 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有假 条件 关闭 主动 控制 瞬态 应力 保护 装置 方法 | ||
1.一种集成电路,包括:
瞬态过应力检测电路,其被配置为基于检测到第一节点和第二节点之间的瞬态过应力事件的存在而生成检测信号;
钳位电路,具有导通状态和截止状态,其中所述钳位电路电连接在所述第一节点和所述第二节点之间;
假条件关闭电路,被配置为检测所述集成电路何时被供电,其中所述假条件关闭电路被配置为基于对所述第一节点和所述第二节点之间的电压差进行低通滤波来生成假条件关闭信号;和
偏置电路,被配置为:
基于所述检测信号、所述假条件关闭信号和正反馈信号而将所述钳位电路的操作控制在导通状态或截止状态;以及
当所述假条件关闭信号被去激活并且所述检测信号和所述正反馈信号中的至少一个被激活时,将所述钳位电路控制为导通状态。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述钳位电路包括金属氧化物半导体晶体管或双极型晶体管中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的集成电路,还包括感测反馈电路,所述感测反馈电路被配置为基于流过所述钳位电路的电流量而生成所述正反馈信号。
4.根据权利要求3所述的集成电路,其中所述偏置电路被配置为在所述假条件关闭信号被激活时将所述钳位电路控制到所述截止状态。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述偏置电路还被配置为将所述钳位电路保持在导通状态达到大于所述瞬态过应力检测电路的时间常数的持续时间。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一节点包括电源节点,并且其中所述第二节点包括接地节点。
7.根据权利要求1所述的集成电路,还包括电连接在所述第一节点和所述第二节点之间的核心电路。
8.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述假条件关闭电路包括第一场效应晶体管和低通滤波器,所述低通滤波器基于对所述第一节点和所述第二节点之间的电压差进行低通滤波而生成低通滤波电压,其中基于所述低通滤波电压来控制所述第一场效应晶体管的栅极。
9.根据权利要求8所述的集成电路,还包括电连接在所述第一场效应晶体管的栅极和所述第二节点之间的电压限制器,其中当存在所述瞬态过应力事件时,所述电压限制器限制所述第一场效应晶体管的栅极的电压。
10.根据权利要求8所述的集成电路,还包括第二场效应晶体管,所述第二场效应晶体管包括接收所述低通滤波电压的漏极和电连接到所述第一场效应晶体管的栅极的源极。
11.根据权利要求10所述的集成电路,还包括分压器,所述分压器电连接在所述第一节点和所述第二节点之间,并且被配置为生成控制所述第二场效应晶体管的栅极的输出电压。
12.一种用于保护集成电路免于电过应力的方法,所述方法包括:
使用瞬态过应力检测电路检测第一节点和第二节点之间的瞬态过应力事件的存在;
响应于使用所述瞬态过应力检测电路检测到所述瞬态过应力事件的存在,激活检测信号;
基于使用假条件关闭电路对第一节点和第二节点之间的电压差进行低通滤波来生成假条件关闭信号;
当所述检测信号和正反馈信号中的至少一个被激活并且所述假条件关闭信号被去激活时,使用偏置电路接通钳位电路;
当所述假条件关闭信号被激活时,使用所述偏置电路关断所述钳位电路。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括使用感测反馈电路向所述偏置电路提供正反馈,其中所述正反馈基于流过所述钳位电路的电流量。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括接收所述第一节点上的电源电压和所述第二节点上的接地电压。
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