[发明专利]P型PERC双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统有效
申请号: | 201710123797.8 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107039544B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 方结彬;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | perc 双面 太阳能电池 及其 制备 方法 组件 系统 | ||
1.一种P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,包括背银主栅、铝栅线、栅线脊骨、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接;
所述背面氮化硅膜和背面氧化铝膜经过激光开槽后形成30-500个平行设置的激光开槽区,每个激光开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述铝栅线通过激光开槽区与P型硅相连;所述铝栅线与背银主栅垂直连接,所述栅线脊骨与铝栅线连接;所述铝栅线印刷在这些平行设置的激光开槽区上,与P型硅形成局部接触;
在背面氮化硅膜和背面氧化铝膜对应栅线脊骨的位置还设有脊骨开槽区,所述栅线脊骨通过脊骨开槽区与P型硅相连;所述栅线脊骨选择铝浆或银浆制成;
每个激光开槽区设有2组以上的激光开槽单元,各组激光开槽单元平行设置,同组激光开槽单元沿铝栅线延伸方向间隔式排布。
2.如权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,所述激光开槽单元的图案为圆形、椭圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、十字形或星形。
3.如权利要求2所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,相邻两个激光开槽单元的间隔距离为0.01-50mm。
4.如权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,所述激光开槽区的宽度为10-500μm;铝栅线的宽度为30-550μm;背银主栅的宽度为0.5-5mm;所述栅线脊骨采用铝浆制成时,宽度为30-550μm;所述栅线脊骨采用银浆制成时,宽度为30-60μm,所述栅线脊骨与铝栅线垂直连接;
所述铝栅线的根数为30-500条;所述背银主栅的根数为2-8条。
5.如权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池,其特征在于,所述背银主栅为连续直栅;或所述背银主栅呈间隔分段设置;或所述背银主栅呈间隔分段设置,各相邻分段间通过连通区域连接。
6.一种如权利要求1所述P型PERC双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在硅片正面和背面形成绒面,所述硅片为P型硅;
(2)在硅片正面进行扩散,形成N型发射极;
(3)去除扩散过程形成的磷硅玻璃和周边PN结,并对硅片背面进行抛光;
(4)在硅片背面沉积氧化铝膜和氮化硅膜;
(5)在硅片正面沉积氮化硅膜;
(6)对硅片背面的氮化硅膜和氧化铝膜上进行激光开槽;
(7)在硅片背面背银主栅对应位置印刷背银主栅浆料,烘干;
(8)在硅片背面铝栅线对应位置印刷铝浆,烘干;
(9)在硅片背面栅线脊骨对应位置印刷银浆或铝浆,烘干;
(10)在硅片正面印刷正银电极浆料;
(11)对硅片进行高温烧结,形成背银主栅、铝栅线、栅线脊骨和正银电极;
(12)对硅片进行抗LID退火,制得P型PERC双面太阳能电池。
7.一种PERC太阳能电池组件,其特征在于,包括PERC太阳能电池和封装材料,所述PERC太阳能电池是权利要求1-5任一项所述的P型PERC双面太阳能电池。
8.一种PERC太阳能系统,包括PERC太阳能电池,其特征在于,所述PERC太阳能电池是权利要求1-5任一项所述的P型PERC双面太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东爱康太阳能科技有限公司,未经广东爱康太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710123797.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的