[发明专利]利于吸收太阳光的P型PERC双面太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710123845.3 申请日: 2017-03-03
公开(公告)号: CN106898660B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 林纲正;方结彬;陈刚 申请(专利权)人: 浙江爱旭太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 高文龙
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 利于 吸收 太阳光 perc 双面 太阳能电池 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种利于吸收太阳光的P型PERC双面太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极,所述P型硅的正面开设有相互平行的若干凹槽,凹槽外露于正面氮化硅膜,所述凹槽的长度方向与正银主栅电极相平行,凹槽的内槽面为绒面,所述绒面能够接受不同方向入射的太阳光,并通过凹槽内部的多次反射和入射,将太阳光捕获。该太阳能电池通过在电池硅片正面刻蚀若干凹槽,捕获更多的太阳光,提高对太阳光的吸收率,从而能够提高双面电池固定支架光伏系统和双面电池单轴跟踪光伏系统的发电量。本发明同时公开了该太阳能电池的制备方法。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,具体是指一种利于吸收太阳光的P型PERC双面太阳能电池及其制备方法。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。

传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术,在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅,降低少子在前表面的复合速率,可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高,人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产,而对于双面PERC太阳能电池也仅仅是一些研究机构在实验室做的研究。双面PERC太阳能电池,由于光电转换效率高,同时双面吸收太阳光,发电量更高,在实际应用中具有更大的使用价值。

在太阳光直射太阳能电池的情况下,太阳能电池吸收的能量是最大的。在固定支架光伏系统中,由于太阳能电池的朝向固定,随着一天当中太阳的移动,太阳能电池接受到的太阳光的角度是不同的,吸收到的太阳光能量也很不稳定。对于单轴跟踪光伏系统,也不能很好地跟踪太阳光的角度,仍然没有最大程度地吸收太阳光能量。

为了克服这个问题,就需要对双面PERC太阳能电池做相应的优化,要求能够提高固定支架光伏系统和单轴跟踪光伏系统中双面PERC太阳能电池对太阳光的吸收率,从而增加双面PERC太阳能电池固定支架光伏系统和单轴跟踪光伏系统的发电量。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种利于吸收太阳光的P型PERC双面太阳能电池,该太阳能电池通过在电池硅片正面刻蚀若干凹槽,捕获更多的太阳光,提高对太阳光的吸收率,从而能够提高双面电池固定支架光伏系统和双面电池单轴跟踪光伏系统的发电量。

本发明的这一目的通过如下的技术方案来实现的:一种利于吸收太阳光的P型PERC双面太阳能电池,包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极,所述P型硅为电池的硅片,N型硅为在硅片正面扩散形成的N型发射极,所述的正银电极由材料为银的正银主栅电极和材料为银的正银副栅电极组成,正银副栅电极与正银主栅电极相垂直,所述的背电极由材料为银的背银主栅电极和材料为铝的背铝副栅电极组成,背铝副栅电极和背银主栅电极相垂直,所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的激光开槽区,激光开槽区内印刷灌注铝浆料,形成背铝条,背铝副栅电极与激光开槽区内的背铝条一体印刷成型,背铝副栅电极通过背铝条与P型硅相连,其特征在于:所述P型硅的正面开设有相互平行的若干凹槽,凹槽外露于正面氮化硅膜,所述凹槽的长度方向与正银主栅电极相平行,凹槽的内槽面为绒面,所述绒面能够接受不同方向入射的太阳光,并通过凹槽内部的多次反射和入射,将太阳光捕获。

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