[发明专利]OLED显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710124008.2 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106876331B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 杨杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙伟峰;黄进<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,包括TFT阵列基板以及阵列设置在该TFT阵列基板上的多个阳极,其特征在于,所述TFT阵列基板上覆设有像素定义层,所述像素定义层包括暴露出所述阳极的开口部和用于间隔相邻两个所述阳极的间隔部,所述间隔部中设置有上部开口的凹槽,每一所述开口部对应于一个子像素区域;其中,
所述像素定义层上依次设置有第一公共层、第二公共层和阴极层,所述第一公共层和所述第二公共层之间对应于每一子像素区域分别设置有一发光材料单元;
所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别具有间隙,以使所述第一公共层、第二公共层和阴极层在相邻的两个子像素区域之间被隔断,所述凹槽的截面为梯形,所述凹槽的上部开口的宽度小于底面的宽度。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽的上部开口的宽度为2μm以上。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度大于所述第一公共层、第二公共层以及阴极层的总厚度。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素定义层的材料为不导电的有机材料或无机材料。
5.根据权利要求1-4任一所述的OLED显示面板,其特征在于,每一子像素区域分别对应于红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素,所述红色子像素中的发光材料单元为可发出红色光的发光材料单元,所述绿色子像素中的发光材料单元为可发出绿色光的发光材料单元,所述蓝色子像素中的发光材料单元为可发出蓝色光的发光材料单元。
6.根据权利要求1-4任一所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一公共层包括按照远离所述阳极的方向依次设置的空穴注入层和空穴传输层,所述第二公共层包括按照远离所述阴极层的方向依次设置的电子注入层和电子传输层。
7.一种如权利要求1-6任一所述OLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一TFT阵列基板并在该TFT阵列基板上制备阵列分布的多个阳极;
在所述TFT阵列基板上制备像素定义层薄膜;
应用刻蚀工艺,将所述像素定义层薄膜刻蚀形成具有开口部和间隔部以及在间隔部中形成凹槽的像素定义层;
在所述像素定义层上依次沉积第一公共层、发光材料单元、第二公共层以及阴极层;其中,在对应于所述凹槽的位置,所述第一公共层、第二公共层以及阴极层沉积在所述凹槽内,所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别形成间隙。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,应用真空蒸镀工艺在所述像素定义层上依次沉积第一公共层、发光材料单元、第二公共层以及阴极层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括驱动单元和如权利要求1-6任一所述OLED显示面板,所述驱动单元向所述OLED显示面板提供驱动信号以使所述OLED显示面板显示画面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造