[发明专利]通用处理套件

权利要求书

1.一种适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，所述处理套件包括：

边缘环，所述边缘环限定径向方向并且包括：

内环，所述内环包括：

非金属导电体，所述非金属导电体具有与第二表面相对的第一表面，所述第二表面具有部分在所述第二表面中镗过的至少一个槽，所述非金属导电体具有小于50 Ohm-cm的电阻率，其中所述内环具有沿所述内环的内周边设置的凹口，其中所述凹口具有上升小于1200 µm的垂直分量和在1300 µm与2500 µm之间延伸的水平分量；和

外环，所述外环用于耦接到所述内环并环绕所述内环的外周边，所述外环包括：

石英主体以及支撑凸耳，所述石英主体具有与第四表面相对的第三表面，并且所述支撑凸耳沿所述外环的内周边形成；以及

至少一个热接触垫，所述至少一个热接触垫容纳在所述至少一个槽内，其中所述至少一个槽在所述径向方向上设置在所述凹口和所述支撑凸耳之间。

2.如权利要求1所述的处理套件，其特征在于，所述内环包含非金属材料。

3.如权利要求1所述的处理套件，其特征在于，所述内环包含硅材料。

4.如权利要求1所述的处理套件，其特征在于，所述内环包含碳化硅材料。

5.如权利要求1所述的处理套件，其特征在于，所述至少一个热接触垫具有不连续的环形状。

6.如权利要求1所述的处理套件，其特征在于，所述热接触垫包含硅树脂材料。

7.如权利要求1所述的处理套件，进一步包括耦接到所述外环的所述第四表面的导电构件。

8.如权利要求7所述的处理套件，其特征在于，所述外环具有在所述第四表面中形成的通道，并且其中所述导电构件至少部分地被设置在所述通道内。

9.一种用于对基板执行半导体处理的等离子体腔室，所述等离子体腔室包括：

基板支撑组件；和

处理套件，所述处理套件适合于邻近所述基板支撑组件使用并且耦接到所述基板支撑组件的凸缘，所述处理套件包括：

边缘环，所述边缘环限定径向方向并且包括：

内环，所述内环设置成邻近所述基板支撑组件并且包括：

非金属导电体，所述非金属导电体具有与第二表面相对的第一表面，所述第二表面具有部分在所述第二表面中镗过的至少一个槽，以及沿所述内环的内周边设置的凹口，其中所述凹口具有上升小于1200 µm的垂直分量和在1300 µm和2500 µm之间延伸的水平分量；和

外环，所述外环耦接到所述内环并环绕所述内环的外周边，所述外环包含石英主体，所述石英主体具有沿所述外环的内周边形成的支撑凸耳；

导电构件，所述导电构件耦接到所述外环；以及

至少一个热接触垫，所述至少一个热接触垫耦接到所述内环并且被设置在所述至少一个槽内，其中所述至少一个槽在所述径向方向上设置在所述凹口和所述支撑凸耳之间。

10.如权利要求9所述的等离子体腔室，其特征在于，所述内环具有小于50 Ohm-cm的电阻率。

11.如权利要求9所述的等离子体腔室，其特征在于，所述内环包含硅材料。

12.如权利要求9所述的等离子体腔室，其特征在于，所述内环包含碳化硅材料。

13.如权利要求9所述的等离子体腔室，其特征在于，所述至少一个热接触垫包括硅树脂材料。

14.如权利要求9所述的等离子体腔室，其特征在于，所述导电构件至少部分地设置在形成于所述外环中的通道中。