[发明专利]一种功率开关管的驱动电路及开关电源

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种功率开关管的驱动电路及开关电源。

背景技术

MOSFET、IGBT等功率开关管耐压较高，导通电流大以及低廉的价格而获得了广泛的应用。随着电子技术的发展，浮置栅电路拓扑结构也越来越普遍。

现有技术中，一般的方案是采用专门的模拟芯片来驱动浮置栅电路中的功率开关管，这种方案存在的缺陷是模拟驱动芯片电路复杂，成本高。还有一种方案就是采用隔离变压器来驱动浮置栅电路中的功率开关管，该方案具有体积大、延迟较严重、高频驱动不理想、变压器杂散参数要求严苛等缺陷。

发明内容

本发明的主要目的在于提出一种功率开关管的驱动电路及开关电源，旨在解决现有方案的缺陷。

为实现上述目的，本发明实施例第一方面提供一种功率开关管的驱动电路，所述驱动电路包括：自举回路、驱动回路、功率开关管及电子开关；

所述自举回路包括串联连接的第一二极管和自举电容；所述第一二极管的阳极与自举电源连接，所述第一二极管的阴极与所述自举电容的一端以及所述驱动回路连接，所述自举电容的另一端与所述功率开关管的源极以及所述电子开关的一端连接；所述电子开关的另一端接地；

所述驱动回路的信号输入端用于接收脉冲宽度调制信号，所述驱动回路的输出端与所述功率开关管的栅极连接；所述功率开关管的漏极与电路电压源连接。

进一步地，所述驱动回路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻以及第二二极管；

所述第一三极管的基极接收脉冲宽度调制信号，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极与所述第一电阻的一端以及所述第二三极管的基极连接，所述第一电阻的另一端与所述第一二极管的阴极连接；

所述第二三极管的发射极与所述第一二极管的阴极连接，所述第二三极管的集电极与所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述功率开关管的栅极连接。

进一步地，所述驱动回路还包括第三电阻；

所述第三电阻的一端与所述第一三极管的发射极连接，所述第三电阻的另一端与地连接。

进一步地，所述功率开关管包括反并联的二极管。

进一步地，所述驱动电路还包括用于泄放电流的泄放回路；所述泄放回路与所述功率开关管的栅极连接。

进一步地，所述泄放回路包括第三三极管；

所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接，所述第三三极管的集电极与所述功率开关管的源极连接，所述第三三极管的发射极与所述功率开关管的栅极连接。

进一步地，所述泄放回路还包括第四电阻；

所述第四电阻的一端与所述第三三极管的基极连接，所述第四电阻的另一端与所述第三三极管的集电极连接。

此外，为实现上述目的，本发明实施例第二方面提供一种开关电源，开关电源包括上述的驱动电路。

本发明实施例提供的功率开关管的驱动电路及开关电源，电路拓扑结构精简可靠，体积小、成本低、通用性强。

附图说明

图1为本发明实施例提供的功率开关管的驱动电路结构示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

现在将参考附图描述实现本发明各个实施例的。在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本发明的说明，其本身并没有特定的意义。

在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

如图1所示，本发明实施例提供的一种功率开关管的驱动电路，驱动电路包括：自举回路30、驱动回路10、功率开关管S1及电子开关。