[发明专利]像素单元及其驱动方法有效
| 申请号： | 201710124747.1 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106950768B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张蒙蒙 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 单元 及其 驱动 方法 | ||
1.一种像素单元，其特征在于，包括：阵列排布的多个子像素(10)、多条平行间隔排列的水平的扫描线(20)、以及多条平行间隔排列的竖直的数据线(30)；
每一行子像素(10)对应一条扫描线(20)，每一列子像素(10)对应一条数据线(30)，每一个子像素(10)均包括：主区薄膜晶体管(T1)、次区薄膜晶体管(T2)和电荷共享薄膜晶体管(T3)；
设n和m均为正整数，在第n行第m列子像素(10)中：所述主区薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第n条扫描线(G(n))，源极电性连接第m条数据线(Data(m))，漏极电性连接主区像素电极(100)；
所述次区薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第n条扫描线(G(n))，源极电性连接第m条数据线(Data(m))，漏极电性连接次区像素电极(200)；
所述电荷共享薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接第n条扫描线(G(n))，源极电性连接第n+1条扫描线(G(n+1))，漏极电性连接次区像素电极(200)；
所述第n条扫描线(G(n))提供高电位(VGH)时，所述第n+1条扫描线(G(n+1))提供阵列基板公共电压(Acom)，其余的扫描线(20)均提供低电位(VGL)；
所述阵列基板公共电压(Acom)大于低电位(VGL)且小于高电位(VGH)。
2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述主区像素电极(100)和彩膜基板公共电极共同组成主区液晶电容(C1)；
所示次区像素电极(100)和彩膜基板公共电极共同组成次区液晶电容(C2)。
3.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述主区像素电极(100)与次区像素电极(200)均为米字型结构，材料均为ITO。
4.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述主区薄膜晶体管(T1)的栅极、次区薄膜晶体管(T2)的栅极、电荷共享薄膜晶体管(T3)的栅极、以及扫描线(20)位于第一金属层，所述主区薄膜晶体管(T1)的源极和漏极、次区薄膜晶体管(T2)的源极和漏极、电荷共享薄膜晶体管(T3)的源极和漏极、以及数据线(30)位于与所述第一金属层绝缘层叠的第二金属层。
5.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元在驱动时的扫描方向为从第一行子像素(10)向最后一行子像素(10)进行扫描。
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