[发明专利]一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线在审
| 申请号： | 201710124873.7 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106848562A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 邓小东;熊永忠;王勇;李一虎 | 申请（专利权）人： | 成都中宇微芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q19/30;H01Q19/10;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙)51224 | 代理人： | 赵正寅 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 亚毫米波 硅基片载端射 天线 | ||
1.一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，包括金属支撑台(1)，以及设置于金属支撑台一侧的片载天线(2)；所述片载天线包括硅衬底(9)，设置于硅衬底上表面的SiO2层(10)，以及设置于硅衬底上表面并位于SiO2层一侧的金属走线层(11)；所述金属走线层位于片载天线靠近金属支撑台的一侧；所述金属走线层上设有CPW馈电端口(4)；所述SiO2层上设有与CPW馈电端口相连的平行双线(5)，且设有与平行双线相连的八木天线有源振子(6)；所述金属支撑台靠近片载天线的一侧面上设有反射面(3)，该反射面与CPW馈电端口的接地面组合构成发射器。
2.根据权利要求1所述的一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，还包括设置于SiO2层上且位于八木天线有源振子前端的八木天线引向器(7)。
3.根据权利要求1所述的一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，还包括设置于SiO2层周边边缘由悬浮金属层(8)形成的悬浮金属环。
4.根据权利要求2所述的一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，所述八木天线引向器与八木天线有源振子距离为0.2～0.4λg，所述八木天线引向器长度为0.2～0.3λg；其中，λg为毫米波亚毫米波在硅衬底中的介质波长。
5.根据权利要求1所述的一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，所述八木天线有源振子长度为0.3～0.5λ，宽度为0.02λ；其中，λ为毫米波亚毫米波在真空中的介质波长。
6.根据权利要求1所述的一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，所述反射面边长尺寸大于2λ；其中，λ为毫米波亚毫米波在真空中的介质波长。
7.根据权利要求1所述的一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，所述硅衬底的厚度小于0.25λg；其中，λg为毫米波亚毫米波在硅衬底中的介质波长。
8.根据权利要求3所述的一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，所述悬浮金属环的各单元尺寸小于0.05λg，单元间距大于0.02λg；其中，λg为毫米波亚毫米波在硅衬底中的介质波长。
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