[发明专利]气化原料供给装置和采用该供给装置的基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及气化原料供给装置和采用该供给装置的基板处理装置。

背景技术

以往公知有这样的气化器和成膜装置，即，在气化器中将液体原料的一部分气化而成的气液混合流体气化而得到气化原料气体，并且向成膜处理部供给将气化原料气体所含有的处理气体和雾沫分离而得到的处理气体，在此过程中，将气液混合流体经由具备多个喷出口的流体供给部向构成气化器的筒状部内供给，气液混合流体以扩散的状态完全遍布于筒状部内，成为易于热交换的状态，能够确保较高的气化效率。采用该结构，由于在气化器中将处理气体和雾沫分离，排出分离的雾沫，因此，能够向成膜装置仅供给不含有雾沫的处理气体。此外，在该采用气化器的成膜装置中，能够向成膜处理部供给大流量的处理气体，因此，能够提高处理效率。

发明内容

发明要解决的问题

然而，近年来，在成膜处理等基板处理中，从提升成膜的面内均匀性的方面考虑，与处理室内的区域相应地调整喷射器的气体喷出孔的孔径、位置。也就是说，例如在成膜装置中存在这样的情况：针对存在沉积速度降低的倾向的区域，进行增大气体喷出孔的孔径或者增加数量等的调整，相反针对存在沉积速度比周围高的倾向的区域，进行减小气体喷出孔的孔径或者降低密度等的调整。

在上述的气化器和成膜装置中并未表示这样的喷射器的调整，但喷射器是能够进行这样的调整的。

但是，在上述的气化器和成膜装置的结构中，即便对喷射器在规定的流量下进行了这样的调整，在除了调整的流量之外的流量下也会因流量的增减而使喷射器的内压发生变化，因此，每个区域的流量比与调整时会有所不同。因而，即便对喷射器进行调整，工艺也不同，若供给处理气体的流量成为与调整时不同的设定，则存在无法得到如调整那样的结果这样的问题。

本发明提供能够针对多个区域逐个地调整处理气体的流量、能够高精度地进行期望的基板处理的气化原料供给装置和采用该气化原料供给装置的基板处理装置。

用于解决问题的方案

本发明的一个技术方案的气化原料供给装置包括：

1个气化原料生成部件，其用于使固体或液体的原料气化而生成气化原料；

多个分支配管，其连接于该气化原料生成部件，用于使生成的所述气化原料分支到多个系统；以及

多个流量控制器，其独立地设置于各个该分支配管。

本发明的另一个技术方案的基板处理装置包括：

所述气化原料供给装置；

处理容器，其能够收容基板；以及

喷射器，其针对该处理容器内的多个区域的每个区域具备气体导入口和气体喷出孔，

所述气化原料供给装置的所述多个分支配管分别一对一相对应地连接于针对所述多个区域的每个区域设置的所述气体导入口。

附图说明

附图作为本说明书的一部分编入而表示本申请的实施方式，与上述通常的说明和后述的实施方式的详细内容一同说明本申请的概念。

图1是表示本发明的第1实施方式的气化原料供给装置和基板处理装置的一例子的图。

图2是更详细地表示本发明的第1实施方式的气化原料供给装置的一例子的图。

图3是表示本发明的第2实施方式的基板处理装置的一例子的图。

图4是表示本发明的第3实施方式的基板处理装置的一例子的图。

图5是表示从本发明的第3实施方式的基板处理装置的喷射器到反应气体喷嘴、处理容器的沿着旋转台的同心圆的截面的图。

图6是沿着图4的I－I’线的剖视图，是表示设有顶面的区域的剖视图。

图7是表示本发明的第4实施方式的基板处理装置的一例子的图。

图8是本发明的第4实施方式的基板处理装置的喷射器的侧剖视图。

图9是表示本发明的第5实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的图。

图10是表示本发明的第6实施方式的基板处理装置的一例子的图。

图11是表示本发明的第6实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的截面结构的图。

图12是表示本发明的第7实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的图。

图13是表示本发明的第8实施方式的基板处理装置的一例子的图。

图14是表示本发明的第8实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的结构的剖视图。